FET, MOSFET simples

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Série
Conditionnement
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Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
Rds On (max.) à Id, Vgs
Vgs(th) (max.) à Id
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
Vgs (max.)
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
Fonction FET
Dissipation de puissance (max.)
Température de fonctionnement
Grade
Qualification
Type de montage
Boîtier fournisseur
Boîtier
LFUSCD20120B
SICFET N-CH 1700V 750OHM TO247-3
Littelfuse Inc.
391
En stock
1 : Fr. 6.64000
Tube
-
Tube
Actif
Canal N
SiCFET (carbure de silicium)
1700 V
6,2 A (Tc)
20V
1ohms à 2A, 20V
4V à 1mA
13 nC @ 20 V
+22V, -6V
200 pF @ 1000 V
-
60W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Trou traversant
TO-247AD
TO-247-3
LFUSCD20120B
SICFET N-CH 1200V 39A TO247-3
Littelfuse Inc.
369
En stock
1 : Fr. 14.52000
Tube
-
Tube
Actif
Canal N
SiCFET (carbure de silicium)
1200 V
39 A (Tc)
20V
100mohms à 20A, 20V
4V à 10mA
95 nC @ 20 V
+22V, -6V
1825 pF @ 800 V
-
179W (Tc)
-55°C ~ 150°C
-
-
Trou traversant
TO-247AD
TO-247-3
LFUSCD20120B
SICFET N-CH 1200V 22A TO247-3
Littelfuse Inc.
2’227
En stock
1’350
Usine
1 : Fr. 9.99000
Tube
-
Tube
Actif
Canal N
SiCFET (carbure de silicium)
1200 V
22 A (Tc)
20V
200mohms à 10A, 20V
4V à 5mA
57 nC @ 20 V
+22V, -6V
870 pF @ 800 V
-
125W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Trou traversant
TO-247AD
TO-247-3
LSIC1MO170TO750_TO-263-7L_1
SICFET N-CH 1700V 6.4A TO263-7L
Littelfuse Inc.
873
En stock
1 : Fr. 7.82000
Tube
-
Tube
Actif
Canal N
SiCFET (carbure de silicium)
1700 V
6,4 A (Tc)
20V
1ohms à 2A, 20V
4V à 1mA
11 nC @ 20 V
+22V, -6V
200 pF @ 1000 V
-
65W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
TO-263-7L
TO-263-8, D2PAK (7 sorties + languette), TO-263CA
LSIC1MO120G0160
MOSFET SIC 1200V 50A TO247-4L
Littelfuse Inc.
0
En stock
Vérifier le délai d'approvisionnement
1 : Fr. 22.42000
Tube
-
Tube
Actif
Canal N
SiCFET (carbure de silicium)
1200 V
70 A (Tc)
20V
50mohms à 40A, 20V
4V à 20mA
175 nC @ 20 V
+22V, -6V
317 pF @ 800 V
-
357W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Trou traversant
TO-247-4L
TO-247-4
LFUSCD20120B
SICFET N-CH 1700V 5A TO247-3L
Littelfuse Inc.
0
En stock
450 : Fr. 2.83800
Tube
-
Tube
Obsolète
Canal N
SiCFET (carbure de silicium)
1700 V
5 A (Tc)
15V, 20V
1ohms à 2A, 20V
4V à 1mA
15 nC @ 20 V
+22V, -6V
200 pF @ 1000 V
-
54W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Trou traversant
TO-247AD
TO-247-3
LFUSCD20120B
SICFET N-CH 1200V 27A TO247-3
Littelfuse Inc.
0
En stock
Actif
-
Tube
Actif
Canal N
SiCFET (carbure de silicium)
1200 V
27 A (Tc)
20V
150mohms à 14A, 20V
4V à 7mA
80 nC @ 20 V
+22V, -6V
1125 pF @ 800 V
-
139W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Trou traversant
TO-247AD
TO-247-3
LSIC1MO120G0160
MOSFET SIC 1200V 18A TO247-4L
Littelfuse Inc.
0
En stock
Actif
-
Tube
Actif
Canal N
SiCFET (carbure de silicium)
1200 V
27 A (Tc)
20V
150mohms à 14A, 20V
4V à 7mA
63 nC @ 20 V
+22V, -6V
1130 pF @ 800 V
-
156W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Trou traversant
TO-247-4L
TO-247-4
LSIC1MO120G0160
MOSFET SIC 1200V 70A TO247-4L
Littelfuse Inc.
0
En stock
Actif
-
Tube
Actif
Canal N
SiCFET (carbure de silicium)
1200 V
100 A (Tc)
20V
32mohms à 50A, 20V
4V à 30mA
265 nC @ 20 V
+22V, -6V
495 pF @ 800 V
-
500W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Trou traversant
TO-247-4L
TO-247-4
LSIC1MO120G0160
MOSFET SIC 1200V 25A TO247-4L
Littelfuse Inc.
0
En stock
Actif
-
Tube
Actif
Canal N
SiCFET (carbure de silicium)
1200 V
39 A (Tc)
20V
100mohms à 20A, 20V
4V à 10mA
92 nC @ 20 V
+22V, -6V
170 pF @ 800 V
-
214W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Trou traversant
TO-247-4L
TO-247-4
LSIC1MO120G0160
MOSFET SIC 1200V 14A TO247-4L
Littelfuse Inc.
0
En stock
Actif
-
Tube
Actif
Canal N
SiCFET (carbure de silicium)
1200 V
22 A (Tc)
20V
200mohms à 10A, 20V
4V à 5mA
50 nC @ 20 V
+22V, -6V
890 pF @ 800 V
-
125W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Trou traversant
TO-247-4L
TO-247-4
TO-263-7
1200V/120MOHM SIC MOSFET TO-263-
IXYS
0
En stock
Actif
-
Tube
Actif
Canal N
SiCFET (carbure de silicium)
1200 V
27 A (Tc)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Montage en surface
TO-263-7
TO-263-8, D2PAK (7 sorties + languette), TO-263CA
TO-263-7
1200V/160MOHM SIC MOSFET TO-263-
IXYS
0
En stock
Actif
-
Tube
Actif
Canal N
SiCFET (carbure de silicium)
1200 V
22 A (Tc)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Montage en surface
TO-263-7
TO-263-8, D2PAK (7 sorties + languette), TO-263CA
TO-263-7
1200V/80MOHM SIC MOSFET TO-263-7
IXYS
0
En stock
Actif
-
Tube
Actif
Canal N
SiCFET (carbure de silicium)
1200 V
39 A (Tc)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Montage en surface
TO-263-7
TO-263-8, D2PAK (7 sorties + languette), TO-263CA
Affichage de
sur 14

FET simple, MOSFET


Les transistors à effet de champ (FET) simples et les transistors à effet de champ à oxyde métallique semi-conducteur (MOSFET) sont des types de transistors utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électroniques.

Un FET simple fonctionne en contrôlant le flux de courant électrique entre les bornes de source et de drain via un champ électrique généré par une tension appliquée à la borne de grille. Le principal avantage des FET est leur impédance d’entrée élevée, qui en fait un choix parfait pour une utilisation dans l’amplification de signaux et les circuits analogiques. Ils sont largement utilisés dans des applications telles que les amplificateurs, les oscillateurs et les étages tampons dans les circuits électroniques.

Les MOSFET, un sous-type de FET, ont une borne de grille isolée du canal par une fine couche d'oxyde, ce qui améliore leurs performances et les rend très efficaces. Les MOSFET peuvent être classés en deux types :

Les MOSFET sont préférés dans de nombreuses applications en raison de leur basse consommation, de leur commutation à haute vitesse et de leur capacité à gérer des tensions et des courants importants. Ils sont essentiels dans les circuits numériques et analogiques, notamment les alimentations, les variateurs moteurs et les applications radiofréquence.

Le fonctionnement des MOSFET peut être décomposé en deux modes :

  • Mode d'enrichissement : dans ce mode, le MOSFET est normalement désactivé lorsque la tension grille-source est nulle. Une tension grille-source positive (pour le canal N) ou une tension grille-source négative (pour le canal P) est nécessaire afin de l'allumer.
  • Mode de déplétion : dans ce mode, le MOSFET est normalement activé lorsque la tension grille-source est nulle. L'application d'une tension grille-source de polarité opposée peut la désactiver.

Les MOSFET offrent plusieurs avantages, tels que :

  1. Haut rendement : ils consomment très peu d'énergie et peuvent changer d'état rapidement, ce qui les rend très efficaces pour les applications de gestion de l'énergie.
  2. Faible résistance à l'état passant : ils ont une faible résistance lorsqu'ils sont allumés, ce qui minimise les pertes de puissance et la génération de chaleur.
  3. Impédance d'entrée élevée : la structure de grille isolée entraîne une impédance d'entrée extrêmement élevée, ce qui en fait un choix parfait pour l'amplification de signaux à haute impédance.

En résumé, les FET simples, en particulier les MOSFET, sont des composants fondamentaux de l'électronique moderne, connus pour leur rendement, leur vitesse et leur polyvalence dans une large gamme d'applications allant de l'amplification de signaux basse puissance au contrôle et à la commutation haute puissance.