FET, MOSFET simples
Référence fabricant | Quantité disponible | Prix | Série | Conditionnement | Statut du produit | Type de FET | Technologies | Tension drain-source (Vdss) | Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | Rds On (max.) à Id, Vgs | Vgs(th) (max.) à Id | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | Vgs (max.) | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | Fonction FET | Dissipation de puissance (max.) | Température de fonctionnement | Grade | Qualification | Type de montage | Boîtier fournisseur | Boîtier | |
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391 En stock | 1 : Fr. 6.64000 Tube | - | Tube | Actif | Canal N | SiCFET (carbure de silicium) | 1700 V | 6,2 A (Tc) | 20V | 1ohms à 2A, 20V | 4V à 1mA | 13 nC @ 20 V | +22V, -6V | 200 pF @ 1000 V | - | 60W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Trou traversant | TO-247AD | TO-247-3 | ||
369 En stock | 1 : Fr. 14.52000 Tube | - | Tube | Actif | Canal N | SiCFET (carbure de silicium) | 1200 V | 39 A (Tc) | 20V | 100mohms à 20A, 20V | 4V à 10mA | 95 nC @ 20 V | +22V, -6V | 1825 pF @ 800 V | - | 179W (Tc) | -55°C ~ 150°C | - | - | Trou traversant | TO-247AD | TO-247-3 | ||
2’227 En stock 1’350 Usine | 1 : Fr. 9.99000 Tube | - | Tube | Actif | Canal N | SiCFET (carbure de silicium) | 1200 V | 22 A (Tc) | 20V | 200mohms à 10A, 20V | 4V à 5mA | 57 nC @ 20 V | +22V, -6V | 870 pF @ 800 V | - | 125W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Trou traversant | TO-247AD | TO-247-3 | ||
873 En stock | 1 : Fr. 7.82000 Tube | - | Tube | Actif | Canal N | SiCFET (carbure de silicium) | 1700 V | 6,4 A (Tc) | 20V | 1ohms à 2A, 20V | 4V à 1mA | 11 nC @ 20 V | +22V, -6V | 200 pF @ 1000 V | - | 65W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Montage en surface | TO-263-7L | TO-263-8, D2PAK (7 sorties + languette), TO-263CA | ||
0 En stock Vérifier le délai d'approvisionnement | 1 : Fr. 22.42000 Tube | - | Tube | Actif | Canal N | SiCFET (carbure de silicium) | 1200 V | 70 A (Tc) | 20V | 50mohms à 40A, 20V | 4V à 20mA | 175 nC @ 20 V | +22V, -6V | 317 pF @ 800 V | - | 357W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Trou traversant | TO-247-4L | TO-247-4 | ||
0 En stock | 450 : Fr. 2.83800 Tube | - | Tube | Obsolète | Canal N | SiCFET (carbure de silicium) | 1700 V | 5 A (Tc) | 15V, 20V | 1ohms à 2A, 20V | 4V à 1mA | 15 nC @ 20 V | +22V, -6V | 200 pF @ 1000 V | - | 54W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Trou traversant | TO-247AD | TO-247-3 | ||
0 En stock | Actif | - | Tube | Actif | Canal N | SiCFET (carbure de silicium) | 1200 V | 27 A (Tc) | 20V | 150mohms à 14A, 20V | 4V à 7mA | 80 nC @ 20 V | +22V, -6V | 1125 pF @ 800 V | - | 139W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Trou traversant | TO-247AD | TO-247-3 | ||
0 En stock | Actif | - | Tube | Actif | Canal N | SiCFET (carbure de silicium) | 1200 V | 27 A (Tc) | 20V | 150mohms à 14A, 20V | 4V à 7mA | 63 nC @ 20 V | +22V, -6V | 1130 pF @ 800 V | - | 156W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Trou traversant | TO-247-4L | TO-247-4 | ||
0 En stock | Actif | - | Tube | Actif | Canal N | SiCFET (carbure de silicium) | 1200 V | 100 A (Tc) | 20V | 32mohms à 50A, 20V | 4V à 30mA | 265 nC @ 20 V | +22V, -6V | 495 pF @ 800 V | - | 500W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Trou traversant | TO-247-4L | TO-247-4 | ||
0 En stock | Actif | - | Tube | Actif | Canal N | SiCFET (carbure de silicium) | 1200 V | 39 A (Tc) | 20V | 100mohms à 20A, 20V | 4V à 10mA | 92 nC @ 20 V | +22V, -6V | 170 pF @ 800 V | - | 214W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Trou traversant | TO-247-4L | TO-247-4 | ||
0 En stock | Actif | - | Tube | Actif | Canal N | SiCFET (carbure de silicium) | 1200 V | 22 A (Tc) | 20V | 200mohms à 10A, 20V | 4V à 5mA | 50 nC @ 20 V | +22V, -6V | 890 pF @ 800 V | - | 125W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Trou traversant | TO-247-4L | TO-247-4 | ||
0 En stock | Actif | - | Tube | Actif | Canal N | SiCFET (carbure de silicium) | 1200 V | 27 A (Tc) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Montage en surface | TO-263-7 | TO-263-8, D2PAK (7 sorties + languette), TO-263CA | ||
0 En stock | Actif | - | Tube | Actif | Canal N | SiCFET (carbure de silicium) | 1200 V | 22 A (Tc) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Montage en surface | TO-263-7 | TO-263-8, D2PAK (7 sorties + languette), TO-263CA | ||
0 En stock | Actif | - | Tube | Actif | Canal N | SiCFET (carbure de silicium) | 1200 V | 39 A (Tc) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Montage en surface | TO-263-7 | TO-263-8, D2PAK (7 sorties + languette), TO-263CA |