Analog Devices Inc

Commutateur ADGM1121

Le commutateur MEMS DPDT de 0 Hz/CC à 18 GHz ADGM1121 d'Analog Devices est adapté à la commutation RF et d'équipements de précision

Image du commutateur ADGM1121 d'Analog DevicesLe dispositif ADGM1121 est un commutateur à large bande, bipolaire et bidirectionnel (DPDT), fabriqué en utilisant la technologie de commutateur MEMS (microsystème électromécanique) d'ADI. Cette technologie permet un commutateur compact, large bande, hautement linéaire, à faibles pertes d'insertion qui est opérationnel à seulement 0 Hz/CC, ce qui en fait une solution de commutation idéale sur large gamme de besoins en matière de commutation RF et d'équipements de précision.

Une puce d'entraînement intégrée génère une haute tension vers un commutateur à actionnement électrostatique qui peut être contrôlé par une interface parallèle et une interface périphérique série (SPI). Tous les commutateurs peuvent être commandés de manière indépendante.

Les performances de la résistance à l'état passant (RON) du dispositif ADGM1121 sont affectées par la variation d'une pièce à l'autre ou d'un canal à l'autre, l'actionnement du cycle, le temps de stabilisation après la mise sous tension, la tension de polarisation et les changements de température.

L'EVAL-ADGM1121SDZ est disponible pour l'évaluation du commutateur MEMS ADFM1121DPDT. Il est équipé de connecteurs pour les signaux RF et de contrôle ainsi que de liaisons pour contrôler le fonctionnement du commutateur et évaluer ses performances. Pour SPI, l'EVAL-ADGM1121SDZ se connecte au port USB d'un ordinateur via la carte SDP (System Demonstration Platform).

Fonctionnalités
  • Gamme de fréquences CC à 18 GHz
  • Capacité de débit binaire élevé jusqu'à 64 Gbps
  • Faibles pertes d'insertion :
    • 0,5 dB (typique) à 8 GHz
    • 1,0 dB (typique) à 16 GHz
  • Entrée élevée IIP3 : 73 dBm (typ)
  • Haute tenue en puissance RF : 33 dBm (maximum)
  • Résistance à l'état passant : 1,9 Ω (typ.)
  • Haute tenue en courant continu : 200 mA
  • Nombre élevé de cycles de commutation : 100 millions de cycles (minimum)
  • Temps de commutation rapide : 200 μs TON (type)
  • Entraînement 3,3 V intégré pour une commande simple avec interface parallèle et SPI
  • Éléments passifs intégrés peu encombrants, comprenant des résistances de découplage et shunt
  • Petit boîtier plastique de 5 mm x 4 mm x 1 mm, 24 broches
  • Plage de températures : ‑40°C à +85°C
Applications
  • Cartes de sonde et de charge ATE
  • CC avec test de boucle haute vitesse
  • SerDes haut débit, PCIe® Gen. 4/5, USB 4 et PAM4
  • Remplacements de relais
  • Filtres/atténuateurs reconfigurables
  • Radios militaires et à faisceaux hertziens
  • Infrastructure cellulaire : ondes millimétriques 5G

ICs

ImageRéférence fabricantDescriptionQuantité disponiblePrixAfficher les détails
DC TO 16GHZ DPDT MEMS SWITCHADGM1121BCCZDC TO 16GHZ DPDT MEMS SWITCH1530 - Immédiatement$59.63Afficher les détails

Evaluation Boards

ImageRéférence fabricantDescriptionQuantité disponiblePrixAfficher les détails
EVAL BOARDEVAL-ADGM1121SDZEVAL BOARD3 - Immédiatement$573.12Afficher les détails
BOARD EVALUATION FOR SDP-CB1EVAL-SDP-CB1ZBOARD EVALUATION FOR SDP-CB1225 - Immédiatement$101.42Afficher les détails
Date de publication : 2024-02-09

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