AEM Central Semiconductor

FET GaN (nitrure de gallium) à canal N

Les FET de Central Semiconductor sont conçus pour les applications de commutation douce avec des normes de rendement élevées

Image de FET GaN (nitrure de gallium) à canal N de Central SemiconductorLes FET GaN à canal N de Central Semiconductor associent une capacité haute tension avec une faible valeur RDS(ON), et ils sont conçus pour les applications de commutation douce avec des normes de rendement élevées. Le boîtier CSP et DFN peu encombrant est parfait pour les applications de charge sans fil haute puissance, de correction du facteur de puissance (PFC), et d'onduleurs de véhicules électriques. Ces FET GaN sont proposés dans un modèle 100 V prenant en charge 60 A, ou 650 V prenant en charge 11 A ou 17 A. L'option 40 V prend en charge 20 A ou 50 A, et des matrices nues sont disponibles sur demande.

Fonctionnalités

  • Haute tenue en tension
  • Faible charge de grille
  • R.DS(ON) de seulement 3,2 mΩ
  • Commutation rapide et efficace

Gallium Nitride (GaN) N-Channel FETs

ImageRéférence fabricantDescriptionQuantité disponiblePrixAfficher les détails
650V, 11A, N-CHANNEL GAN FET INCDF56G6511N TR13 PBFREE650V, 11A, N-CHANNEL GAN FET IN2297 - Immédiatement$3.97Afficher les détails
650V, 17A, N-CHANNEL GAN FET INCDF56G6517N TR13 PBFREE650V, 17A, N-CHANNEL GAN FET IN2498 - Immédiatement$4.54Afficher les détails
100V, 60A, N-CHANNEL CHIP SCALECCSPG1060N TR PBFREE100V, 60A, N-CHANNEL CHIP SCALE1429 - Immédiatement$4.52Afficher les détails
Date de publication : 2023-12-19