Diodes et MOSFET en carbure de silicium (SiC)

Les matériaux WBG de Diodes Incorporated présentent des avantages par rapport au silicium pour de nombreuses raisons, notamment en permettant au SiC de résister à des tensions jusqu'à cinq fois (3 kV) supérieures à celles du silicium avec une tension de claquage (BV) plus élevée. Le SiC peut également commuter jusqu'à 10 fois plus rapidement que le silicium, ce qui entraîne des pertes de commutation minimales. Une conductivité thermique trois fois supérieure signifie également une meilleure dissipation de puissance et des dissipateurs thermiques plus petits. Par conséquent, le SiC est plus adapté que le GaN aux applications à haute puissance en raison d'une meilleure conductivité thermique et d'une meilleure densité de remplissage.

MOSFET SiC

Le choix des MOSFET SiC présente de nombreux avantages par rapport aux MOSFET silicium, notamment des fréquences de commutation plus élevées et une réduction de la taille des composants tels que les inductances, les condensateurs, les filtres et les transformateurs.

Les MOSFET SiC de 1200 V de Diodes sont conçus pour les applications de commutation de puissance haute tension qui exigent le plus grand rendement et une conception compacte. Ils se caractérisent par un courant de sortie élevé, une faible résistance à l'état passant et des boîtiers TO263-7, TO247 et TO247-4 standard de l'industrie, parfaits pour les entraînements de moteur, les convertisseurs CC/CC, les onduleurs solaires et les applications de chargeur de batterie pour véhicules électriques.

Diodes SiC

Les diodes Schottky SiC de Diodes sont disponibles dans une gamme de 650 V à 1200 V. Elles sont proposées dans une grande variété de boîtiers, du TO220 isolé au TO220 standard en passant par le TO252, ce qui offre une grande flexibilité aux concepteurs à la recherche de rendement, de robustesse et d'une mise sur le marché rapide. Les diodes SiC de qualité automobile de 650 V et 1200 V de Diodes bénéficient d'une qualification AEC-Q101.