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Technologie IGBT à champ limité

Les IGBT à champ limité de ON Semiconductor présentent une impédance d'entrée élevée et une haute tenue en courant

Image des IGBT à tranchée FS (Field-Stop), 650 V, 30 A/40 A/60 A de Fairchild pour des performances optimalesLa technologie IGBT à champ limité (FS, Field Stop) de ON Semiconductor permet aux concepteurs de développer des systèmes extrêmement fiables avec des tensions d'entrée plus élevées, tout en offrant des performances optimales dans lesquelles de faibles pertes de commutation et de conduction sont essentielles. L'IGBT présente une haute tenue en courant, un coefficient de température positif, une distribution resserrée des paramètres et une aire de sécurité étendue. La tension de claquage accrue améliore la fiabilité en présence de températures ambiantes négatives. À mesure que la température diminue, la tension de blocage de l'IGBT et de la diode FRD diminue également. Cela rend ces dispositifs particulièrement intéressants pour les onduleurs photovoltaïques solaires utilisés dans les climats plus froids. Étant donné que la sélection minutieuse des IGBT et des diodes de roue libre est essentielle pour un rendement maximal, les IGBT de ON Semiconductor offrent une récupération progressive rapide qui réduit la dissipation de puissance et permet d'atteindre de faibles pertes à la mise sous tension et hors tension.

La technologie FS de ON Semiconductor permet d'atteindre des performances élevées sans nuire à la fiabilité ou à la robustesse. Par ailleurs, la société s'engage à poursuivre les progrès réalisés dans les performances des IGBT. Le développement de notre technologie de quatrième génération permet un excellent compromis au niveau des caractéristiques et une robustesse de verrouillage à l'état passant dynamique plus forte que tout autre IGBT FS.

Livre blanc - Analyse détaillée et performances

Fonctionnalités
  • Température maximale de jonction : Tj = 175°C
  • Coefficient de température positif pour un fonctionnement en parallèle aisé
  • Tests ILM(1) effectués sur 100 % des pièces
  • Faible tension de saturation :
    VCE(sat) = 1,8 V (typ.) à IC = 30 A, 40 A, 60 A
  • Impédance d'entrée élevée
  • Commutation rapide
  • Distribution resserrée des paramètres
  • Conformité à RoHS
  • Haute tenue en courant
Applications    
  • Applications industrielles et de soudure, et correction du facteur de puissance

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Date de publication : 2015-09-28

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