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Transistor MOSFET à commutation ultrarapide au carbure de silicium (SiC) - Série LSIC1MO120E
Littelfuse présente le transistor MOSFET SiC à enrichissement, 1200 V, à canal N série LSIC1MO120E
Les transistors MOSFET au carbure de silicium (SiC) série LSIC1MO120E de Littelfuse combinent une faible résistance à l'état passant et de très faible pertes de commutation, un résultat qui ne peut pas être atteint avec des transistors de puissance classiques de 1200 V. La conception robuste de ce premier transistor MOSFET SiC accepte un éventail plus large d'applications haute température. Des dissipateurs thermiques plus petits et une densité de puissance accrue permettent d'obtenir un rendement plus élevé, tandis qu'un filtre passif plus petit et une densité de puissance accrue créent des fréquences de commutation supérieures. Le dispositif présente un format de puce plus compact par tension/courant nominal.
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Silicon Carbide (SiC) Ultra-Fast Switching MOSFET
| Image | Référence fabricant | Description | Tension drain-source (Vdss) | Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Quantité disponible | Prix | Afficher les détails | |
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 |  | LSIC1MO120E0080 | SICFET N-CH 1200V 39A TO247-3 | 1200 V | 39 A (Tc) | 369 - Immédiatement | $14.52 | Afficher les détails |
| LSIC1MO120E0120 | SICFET N-CH 1200V 27A TO247-3 | 1200 V | 27 A (Tc) | 0 - Immédiatement | See Page for Pricing | Afficher les détails | |
| | LSIC1MO120E0160 | SICFET N-CH 1200V 22A TO247-3 | 1200 V | 22 A (Tc) | 2226 - Immédiatement 1350 - Stock usine | $9.99 | Afficher les détails |
Date de publication : 2018-01-05
Suisse