MOSFET au carbure de silicium (SiC) à commutation ultrarapide - Série LSIC1MO120E

Les MOSFET SiC d'IXYS : A Littelfuse Technology offrent une alternative exceptionnelle aux transistors de puissance traditionnels à base de silicium. La structure du dispositif MOSFET permet de réduire les pertes de commutation par cycle et d'améliorer le rendement à faible charge par rapport aux IGBT de même catégorie. Les propriétés matérielles inhérentes permettent au MOSFET SiC de surclasser ses homologues MOSFET Si quant à la tension de blocage, la résistance à l'état passant spécifique et les capacités de jonction. La conception robuste de ces MOSFET SiC accepte un éventail plus large d'applications haute température. Des fréquences de commutation plus élevées permettent des composants de filtres passifs plus petits ; des pertes de dispositifs plus faibles permettent de réduire la taille des dissipateurs de chaleur. Combinées, ces fonctionnalités permettent d'améliorer le rendement du système ainsi que la densité de puissance. Les dispositifs ont des tailles de puces plus petites par tension/courant nominal, ce qui en fait un choix parfait pour la commande d'entraînement de moteur, les systèmes de conversion de puissance, les onduleurs solaires et d'autres applications.

Ressources

• Alimentation auxiliaire 60 W de Littelfuse
• Optimisation de la mise en œuvre de dispositif de roue libre dans les MOSFET SiC
• Catalogue de semi-conducteurs de puissance de Littelfuse