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FET en GaN
Les FET en GaN de Nexperia augmentent les performances, le rendement et la fiabilité
Les FET en GaN de Nexperia permettent des systèmes plus petits, plus rapides, plus froids, plus légers, et à moindres coûts globaux. L'utilisation efficace de l'énergie est un défi industriel majeur et un moteur d'innovation. La pression sociétale et la législation exigent des gains de rendement dans le contrôle et la conversion de puissance. Pour certaines applications, le rendement de la conversion de puissance et la densité de puissance sont essentielles à leur adoption sur le marché. Les principaux exemples incluent la tendance à l'électrification automobile ainsi que les secteurs des communications à haute tension et des infrastructures industrielles.
Fonctionnalités
- Entraînement facile avec une tension de seuil de 4 V
- Excellente diode de substrat (faible VF) pour réduire les pertes en mode de conduction inverse
- QRR ultrafaible pour une commutation rapide
- Capacité de surtension transitoire de 800 V
- Oxyde de grille robuste (capacité ±20 V)
Applications
- Alimentations télécoms et serveurs
- Stockage de batterie et alimentations secourues
- Automatisation industrielle
- Chargeurs embarqués (OBC)
- Conversion de puissance CC/CC
- Onduleurs de traction
GaN FETs
| Image | Référence fabricant | Description | Tension drain-source (Vdss) | Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | Quantité disponible | Prix | Afficher les détails | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | GAN063-650WSAQ | GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3 | 650 V | 34,5 A (Tc) | 10V | 0 - Immédiatement | $10.99 | Afficher les détails |
| | GAN041-650WSBQ | GAN041-650WSB/SOT429/TO-247 | 650 V | 47,2A (Tc) | 10V | 284 - Immédiatement | $13.91 | Afficher les détails |
Date de publication : 2020-09-30
Suisse