onsemi offre un portefeuille d'alimentation complet avec une technologie de pointe dans les MOSFET, large bande interdite (WBG), IGBT et modules d'alimentation pour un grand nombre d'applications de conversion de puissance. Associé à nos exceptionnels produits d'alimentation, onsemi est un partenaire à valeur ajoutée qui offre une solution complète, de la protection à la commutation. onsemi est équipé pour soutenir les ingénieurs créant des conceptions innovantes dans les applications de charge de véhicules électriques, d'alimentation CA/CC et de stockage batterie.
onsemi facilite un écosystème à large bande interdite (WBG) complet pour ses clients en fournissant des structures à terminaison brevetées qui offrent une robustesse supérieure en conditions environnementales difficiles. De la fabrication interne aux modèles de dispositifs physiques pour la simulation, onsemi assure la fiabilité de tous les dispositifs EliteSiC.
Les MOSFET EliteSiC d'onsemi offrent un haut rendement, une densité de puissance accrue et un format système réduit
Les MOSFET EliteSiC d'onsemi offrent un haut rendement, une densité de puissance accrue et un format système réduit
Les diodes EliteSiC d'onsemi offrent des performances de commutation supérieures et une grande fiabilité
Les diodes EliteSiC d'onsemi se caractérisent par une fréquence de fonctionnement plus rapide, une densité de puissance accrue et de moindres interférences électromagnétiques
Les diodes EliteSiC d'onsemi présentent des caractéristiques de commutation indépendantes de la température et d'excellentes performances thermiques
En tant que leader de l'industrie des MOSFET, onsemi offre un portefeuille HV complet pour les applications de conversion de puissance. En outre, une chaîne d'approvisionnement intégrée verticalement garantit la fiabilité ainsi que des options de personnalisation pour les conceptions PFC et SMPS.
| Numéro de référence | Description | Afficher les détails |
|---|---|---|
| FCB070N65S3 | Canal N, 44 A (Tc) et 312 W (Tc), montage en surface, D²PAK (TO-263AB) | Afficher les détails |
| FCB099N65S3 | Canal N, 30 A (Tc) et 227 W (Tc), montage en surface, D²PAK-3 (TO-263) | Afficher les détails |
| FCB125N65S3 | Canal N, 24 A (Tc) et 181 W (Tc), montage en surface, TO-263 (D²Pak) | Afficher les détails |
| FCB199N65S3 | Canal N, 14 A (Tc) et 98 W (Tc), montage en surface, D²PAK (TO-263) | Afficher les détails |
| FCB260N65S3 | Canal N, 12 A (Tc) et 90 W (Tc), montage en surface, D²PAK (TO-263) | Afficher les détails |
| FCD260N65S3 | Canal N, 12 A (Tc) et 90 W (Tc), montage en surface, TO-252 (D-Pak) | Afficher les détails |
| FCD360N65S3R0 | Canal N, 10 A (Tc) et 83 W (Tc), montage en surfacen D-PAK (TO-252) | Afficher les détails |
| FCD600N65S3R0 | Canal N, 6 A (Tc) et 54 W (Tc), montage en surface, D-PAK (TO-252) | Afficher les détails |
Avec la meilleure technologie MV de sa catégorie, les dispositifs Trench8 d'onsemi offrent un facteur de mérite RDS(ON)*Qg de 20 % inférieur à celui du meilleur concurrent. Les fonctionnalités de commutation optimisées basées sur la technologie T8 permettent une réduction de 35 % à 40 % des valeurs Qg et Qoss par rapport à la technologie T6.
| Numéro de référence | Description | Afficher les détails |
|---|---|---|
| NTBLS1D1N08H | Canal N, 41 A (Ta), 351 A (Tc), 4,2 W (Ta), 311 W (Tc), montage en surface, 8-HPSOF | Afficher les détails |
| NTLJS4D7N03HTAG | Canal N, 11,6 A (Ta), 860 mW (Ta), montage en surface, 6-PQFN (2 x 2) | Afficher les détails |
| NTLJS4D9N03HTAG | Canal N, 9,5 A (Ta), 860 mW (Ta), montage en surface, 6-PQFN (2 x 2) | Afficher les détails |
| NTMFD6H846NLT1G | Matrice de MOSFET, 2 canaux N (double), 80 V, 9,4 A (Ta), 31 A (Tc), 3,2 W (Ta), 34 W (Tc), montage en surface, 8-DFN (5 x 6) Dual Flag (SO8FL-Dual) | Afficher les détails |
| NTMFD6H852NLT1G | Matrice de MOSFET, 2 canaux N (double), 80 V, 295 mA, 250 mW (Ta), montage en surface, 8-DFN (5 x 6) Dual Flag (SO8FL-Dual) | Afficher les détails |
| NTMFS4H01NFT1G | Canal N, 54 A (Ta), 334 A (Tc) 3,2 W (Ta), 125 W (Tc), montage en surface, 5-DFN (5 x 6) (8-SOFL) | Afficher les détails |
| NTMFS4H01NFT3G | Canal N, 54 A (Ta), 334 A (Tc) 3,2 W (Ta), 125 W (Tc), montage en surface, 5-DFN (5 x 6) (8-SOFL) | Afficher les détails |
onsemi propose un large portefeuille d'isolation fournissant une technologie brevetée qui associe les caractéristiques de sécurité des photocoupleurs et les caractéristiques de performances des isolateurs numériques.
| Numéro de référence | Description | Afficher les détails |
|---|---|---|
| NCID9211 | Isolateur numérique I²C, SPI 5000 Vrms à canal 50 Mbps 100 kV/µs CMTI 16-SOIC (largeur 7,50 mm) | Afficher les détails |
| NCID9211R2 | Isolateur numérique I²C, SPI 5000 Vrms à canal 50 Mbps 100 kV/µs CMTI 16-SOIC (largeur 7,50 mm) | Afficher les détails |
| NCID9401 | Isolateur numérique I²C, SPI 5000 Vrms à canal 10 Mbps 100 kV/µs CMTI 16-SOIC (largeur 7,50 mm) | Afficher les détails |
| NCID9411 | Isolateur numérique I²C, SPI 5000 Vrms à canal 10 Mbps 100 kV/µs CMTI 16-SOIC (largeur 7,50 mm) | Afficher les détails |
Le portefeuille de circuits d'attaque de grille d'onsemi comprend des circuits d'attaque inverseurs et non inverseurs GaN, IGBT, FET, MOSFET, MOSFET SiC et MOSFET à pont en H, particulièrement adaptés aux applications de commutation.
Le dispositif NCx5700x d'onsemi permet un rendement et une fiabilité élevés des systèmes dans les applications haute puissance
Avec des modules de puissance et des technologies EliteSiC de premier plan, ainsi qu'un portefeuille global complet, onsemi est votre partenaire à valeur ajoutée pour des solutions de charge CC rapide de véhicules électriques.
Le portefeuille complet de MOSFET et d'autres produits d'onsemi offre de nombreuses options pour les applications d'alimentation. Les produits et solutions d'onsemi augmentent le rendement en mode actif, diminuent la consommation énergétique en mode veille et assurent la correction du facteur de puissance, à chaque point de la chaîne d'alimentation, de la ligne à la charge.
Dans la mesure où les systèmes de stockage d'énergie ont une demande accrue avec la modernisation du réseau, le portefeuille de MOSFET haute tension et de dispositifs discrets EliteSiC d'onsemi aide à fournir des solutions complètes et robustes.
Les véhicules électriques rechargeables et entièrement électriques nécessitent des systèmes de charge embarqués (OBC) bidirectionnels de charge rapide, connectés au réseau électrique afin de faire le plein de la batterie du véhicule. onsemi fournit un portefeuille complet de solutions discrètes et modulaires robustes à haute densité de puissance pour les systèmes de charge OBC.
onsemi offre des solutions de composants discrets et modulaires, avec des pertes de conduction et commutation caractéristiques faibles, qui facilitent la conception de systèmes de conversion CC/CC à haut rendement.
Afin de permettre des distances de conduite plus longues, un couple élevé et une accélération des véhicules électriques, onsemi offre des solutions de composants discrets et modulaires permettant de concevoir des systèmes d'onduleurs de traction haut rendement, rentables et fiables.
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