Résistances shunt pavés GMR50

Les résistances shunt pavés GMR50 de ROHM Semiconductor délivrent une puissance nominale de 4 W à une température d'électrode TK = 90°C dans un boîtier compact au format 2010 de 5,0 mm x 2,5 mm. Cette série combine une structure d'électrode repensée et une conception de dispositif optimisée qui améliore la dissipation de la chaleur sur le circuit imprimé à l'endroit de montage de la résistance. Cette structure à dissipation de chaleur élevée offre également une fiabilité et un gain d'espace avec une surface de montage 39 % plus petite par rapport aux produits classiques de 4 W. Les résistances GMR50 de ROHM Semiconductor offrent une plage de résistances allant de 5 mΩ à 220 mΩ et une plage de températures de fonctionnement comprise entre -65°C et +170°C. Ces dispositifs conviennent idéalement à la détection de courant dans les moteurs et les circuits d'alimentation utilisés dans les systèmes automobiles et les équipements industriels.