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Gamme de MOSFET CSD1757xx
MOSFET de puissance NexFET™ 30 V à canal N de Texas Instruments
La gamme de MOSFET de puissance NexFET 30 V CSD1757xx de Texas Instruments est conçue pour réduire les pertes dans les applications de conversion de puissance. Ils sont fournis en boîtiers SON de 3,3 mm x 3,3 mm, 3 mm x 3,15 mm ou 2 mm x 2 mm offrant d'excellentes performances thermiques pour ce format de boîtier. Les applications incluent les dispositifs portables, les tablettes et le stockage, et ils sont optimisés pour les applications de commutateur de charge et de FET de commande.
| Fonctionnalités | |
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CSD1757xx Family MOSFETs
| Image | Référence fabricant | Description | Rds On (max.) à Id, Vgs | Vgs(th) (max.) à Id | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | Quantité disponible | Prix | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | CSD17571Q2 | MOSFET N-CH 30V 7.6A 6SON | 29mohms à 5A, 4,5V | 2V à 250µA | 3.1 nC @ 4.5 V | 12488 - Immédiatement | $0.56 | Afficher les détails |
|  | CSD17579Q3AT | MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON | 10,2mohms à 8A, 10V | 1,9V à 250µA | 15 nC @ 10 V | 4560 - Immédiatement | $0.85 | Afficher les détails |
| | CSD17578Q3AT | MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON | 7,3mohms à 10A, 10V | 1,9V à 250µA | 22.2 nC @ 10 V | 4111 - Immédiatement | $1.37 | Afficher les détails |
| | CSD17577Q3AT | MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON | 4,8mohms à 16A, 10V | 1,8V à 250µA | 35 nC @ 10 V | 1930 - Immédiatement | $1.28 | Afficher les détails |
|  | CSD17577Q5AT | MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON | 4,2mohms à 18A, 10V | 1,8V à 250µA | 35 nC @ 10 V | 2536 - Immédiatement | $0.85 | Afficher les détails |
|  | CSD17575Q3T | MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON | 2,3mohms à 25A, 10V | 1,8V à 250µA | 30 nC @ 4.5 V | 16850 - Immédiatement | $1.60 | Afficher les détails |
Date de publication : 2015-02-10
Suisse