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MOSFET de puissance NexFET™ à canal N CSD17581Q3A
Texas Instruments présente le MOSFET de puissance NexFET à canal N, 30 V CSD17581Q3A, en boîtier VSONP de 3,3 mm x 3,3 mm
Le MOSFET de puissance NexFET 30 V, 3,2 mΩ, en boîtier VSONP de 3,3 mm x 3,3 mm de Texas Instruments a été conçu pour minimiser les pertes dans les applications de conversion de puissance. Ces applications incluent des convertisseurs abaisseurs synchrones de point de charge pour les applications dans les réseaux, les télécommunications et les systèmes informatiques, des applications de commande moteur, et elles sont optimisées pour les applications de FET de commande.
| Fonctionnalités | ||
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CSD17581Q3A N-Channel NexFET Power MOSFET
| Image | Référence fabricant | Description | Quantité disponible | Prix | Afficher les détails | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | CSD17581Q3AT | MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON | 9522 - Immédiatement | $1.36 | Afficher les détails |
| | CSD17581Q3A | MOSFET N-CH 30V 21A 8VSON | 7198 - Immédiatement | $0.98 | Afficher les détails |
Date de publication : 2017-01-11
Suisse