Étage de puissance LMG3410R070 au nitrure de gallium (GaN)

L'étage de puissance GaN LMG3410R070 de Texas Instruments avec protection et circuit d'attaque intégré permet à l'utilisateur d'atteindre des niveaux inégalés de densité de puissance et de rendement dans les systèmes d'électronique de puissance. Le LMG3410R070 présente des avantages intrinsèques par rapport aux transistors à effet de champ à structure métal-oxyde-semi-conducteur (MOSFET), notamment une capacité d'entrée et de sortie ultrafaible, un recouvrement inverse nul pour réduire les pertes de commutation jusqu'à 80 % et une faible oscillation du nœud de commutation afin de réduire les interférences électromagnétiques (EMI). Ces avantages permettent des topologies denses et efficaces, y compris la correction du facteur de puissance (PFC) de mât totémique.

Le LMG3410R070 offre une alternative intelligente aux transistors à effet de champ (FET) GaN traditionnels autonomes et montés en cascade, en intégrant un ensemble unique de fonctionnalités pour simplifier la conception, maximiser la fiabilité et optimiser les performances d'une alimentation. Une attaque de grille intégrée permet une commutation de 100 V/ns avec une oscillation V_DS proche de zéro ; une limitation de courant < 100 ns offre une protection contre les événements « shoot-through » involontaires, un arrêt en cas de surchauffe empêche l'emballement thermique et des signaux d'interface système permettent des capacités de surveillance automatique.