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Ressources de conception

Transphorm mène la révolution GaN avec ses dispositifs GaN hautes performances et haute fiabilité pour les applications de conversion de puissance haute tension. Une gamme d'outils et de ressources est disponible pour vous aider à concevoir vos applications GaN.

Kits d'évaluation

Référence	Description	Afficher les détails
TDTTP2500P100-KIT-ND	2.5KW TOTEM-POLE PFC EVAL KIT	Afficher les détails
TDTTP4000W066B-KIT-ND	4KW TOTEM-POLE PFC EVAL KIT	Afficher les détails
TDINV1000P100-KIT-ND	1KW INVERTER EVALUATION KIT	Afficher les détails
TDINV3000W050-KIT	3.0KW INVERTER EVAL KIT	Afficher les détails
TDINV3500P100-KIT-ND	3.5KW INVERTER EVAL KIT	Afficher les détails
TDHBG2500P100-KIT-ND	2.5KW HB, BUCK OR BOOST EVAL KIT	Afficher les détails

Notes d'application

AN0002 : Caractéristiques des FET de puissance GaN de Transphorm

AN0003 : Disposition et vérification des cartes à circuit imprimé pour les FET GaN

AN0004 : Concevoir des ponts commutés avec du nitrure de gallium

AN0006 : Tolérance aux transitoires VGS des FET GaN de Transphorm

AN0007 : Recommandations concernant la soudure de 2e niveau sans plomb des boîtiers PQFN88 pour la refusion en phase vapeur

AN0008 : Caractéristiques d'avalanche et de tension de drain pour les FET GaN

AN0009 : Circuits externes recommandés pour les FET GaN de Transphorm

AN0010 : FET GaN en parallèle avec perles de ferrite de drain et circuits d'amortissement RC pour applications haute puissance

AN0011 : Notes d'application sur le montage en parallèle de FET GaN PQFN

Guides de conception

Code DSP DG004

DG005 : Circuit de disjoncteur ultrarapide pour le prototypage

Fichiers de conception DG005

DG006 : Conception LLC CC/CC 600 W à l'aide de FET GaN

Fichiers de conception DG006

Modèles Spice par numéro de référence

Consultez la documentation technique abordant différents sujets liés à la conception GaN

Barr, R., Haller, J., Shono, K., Georgieva, E., McKay, J., Smith, P., Smith, K., Rakesh, L., Yifeng, Y., Fiabilité des commutateurs GaN haute tension, novembre 2018

Parikh, Primit ; Smith, Kurt ; Barr, Ronald ; et al., La commercialisation de dispositifs GaN de 650 V atteint les normes automobiles, ECS Transactions, septembre 2017

Parikh, Primit, Généraliser l'adoption des transistors à effet de champ au nitrure de gallium haute tension [Point de vue d'expert], IEEE Power Electronics Magazine, septembre 2017

Huang, Zan ; Cuadra, Jason, Empêcher l'oscillation VHF des dispositifs GaN, APEC 2017, session industrie, mars 2017

Zuk, Philip ; Campeau, Gaetan, Comment réaliser une conception GaN en moins d'une heure, APEC 2017, séance exposants, mars 2017

Smith, Kurt ; Barr, Ronald, Cycle de fiabilité des dispositifs de puissance GaN, livre blanc, mars 2017

Wang, Zhan ; Wu, Yifeng, PFC totem-pôle sans pont à rendement de 99 % basé sur HEMT GaN

Wang, Zhan ; Honea, Jim ; Wu, Yifeng, Conception et implémentation d'un onduleur à trois niveaux haut rendement avec des HEMT GaN, mai 2015 (accès au site IEEE requis)

Zhou, Liang ; Wu, Yifeng ; Honea, Jim ; Wang, Zhan, PFC totem-pôle sans pont haut rendement basé sur HEMT GaN : défis de conception et solutions rentables, mai 2015 (accès au site IEEE requis)

Wang, Zhan ; Wu, Yifeng ; Honea, Jim ; Zhou, Liang, HEMT GaN montés en parallèle pour convertisseurs de puissance à pont sans diode, mars 2015

Kikkawa, T., et al, HEMT GaN haute fiabilité qualifiés JEDEC 600 V sur substrats silicium, décembre 2014 (accès au site IEEE requis)

Wu, Yifeng ; Guerrero, Jose ; McKay, Jim ; Smith, Kurt, Avancées en matière de fiabilité et d'espace de fonctionnement des dispositifs de puissance GaN haute tension sur substrats silicium, octobre 2014 (accès au site IEEE requis)

Wang, Zhan ; Honea, Jim ; Yuxiang Shi ; Hui Li, Recherche de circuits d'attaque pour HEMT GaN en boîtiers à sorties, octobre 2014

Wu, Y. ; Gritters, J. ; Shen, L. ; Smith, R.P. ; Swenson, B., Les HEMT GaN-sur-Si de classe kV permettent des convertisseurs à rendement de 99 % à 800 V et 100 kHz, juin 2014 (accès au site IEEE requis)

Wu, Y. ; Gritters, J. ; Shen, L. ; Smith, R.P. ; McKay, J. ; Barr, R. ; Birkhahn, R., Performances et robustesse des transistors de puissance GaN-sur-Si 600 V de 1re génération, octobre 2013 (accès au site IEEE requis)

Parikh, Primit ; Wu, Yifeng ; Shen, Likun, Commercialisation de dispositifs de puissance GaN-sur-Si 600 V, mai 2013 (accès au site IEEE requis)

Wu, Yifeng, Les avantages du GaN pour les véhicules hybrides de demain, mars 2013

Wu, Y. ; Kebort, D. ; Guerrero, J. ; Yea, S. ; Honea, J. ; Shirabe, K. ; Kang, J., Onduleur de commande moteur sans diode GaN haute fréquence avec sortie à onde sinusoïdale pure, octobre 2012

Shirabe, Kohei ; Swamy, Mahesh ; Kang, Jun-Koo ; Hisatsune, Masaki ; Wu, Yifeng ; Kebort, Don ; Honea, Jim, Avantages de la modulation de largeur d'impulsion haute fréquence dans les applications de commande moteur CA, septembre 2012 (accès au site IEEE requis)

Wu, Y. ; Coffie, R. ; Fichtenbaum, N. ; Dora, Y. ; Suh, C.S. ; Shen, L. ; Parikh, P. ; Mishra, U.K., Solution GaN complète pour la conversion de puissance électrique, juin 2011 (accès au site IEEE requis)