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Transphorm führt die GaN-Revolution mit den leistungsfähigsten und zuverlässigsten GaN-Bausteinen für die Energieumwandlung bei hohen Spannungen an. Es stehen Tools und Ressourcen bereit, die Sie bei der Entwicklung von GaN-Anwendungen unterstützen.
Evaluierungskits
Anwendungshinweise
Designleitfäden
Spice-Modelle
Technische Artikel
Anwendungsfälle
Weiterbildung
Evaluierungskits
| Teilenummer | Beschreibung | Details anzeigen |
|---|---|---|
| TDTTP2500P100-KIT-ND | 2.5KW TOTEM-POLE PFC EVAL KIT | Details anzeigen |
| TDTTP4000W066B-KIT-ND | 4KW TOTEM-POLE PFC EVAL KIT | Details anzeigen |
| TDINV1000P100-KIT-ND | 1KW INVERTER EVALUATION KIT | Details anzeigen |
| TDINV3000W050-KIT | 3.0KW INVERTER EVAL KIT | Details anzeigen |
| TDINV3500P100-KIT-ND | 3.5KW INVERTER EVAL KIT | Details anzeigen |
| TDHBG2500P100-KIT-ND | 2.5KW HB, BUCK OR BOOST EVAL KIT | Details anzeigen |
Anwendungshinweise
AN0002: Eigenschaften der GaN-Leistungs-FETs von Transphorm
AN0003: Layout und Test von Leiterplatten für GaN-FETs
AN0004: Design von hartschaltenden Brücken mit GaN
AN0006: Toleranz der GaN-FETs von Transphorm gegen VGS-Transienten
AN0007: Empfehlungen für das bleifreie Dampfphasen-Reflow-Löten des PQFN88
AN0008: Drain-Spannung und Avalanche-Werte für GaN-FETs
AN0009: Empfohlene externe Schaltungen für die GaN-FETs von Transphorm
AN0011: Anwendungshinweis für Leiterplatten mit parallelgeschalteten PQFN-GaN-FETs
Designleitfäden
- DG001: Design eines LLC-resonanten Schwingkreises für ein 3,3kW-On-Board-Ladegerät mit großem Ausgangsspannungsbereich für Elektrofahrzeuge
- DG002: Hocheffizienter 2,3kW-2-Phasen-CRM-Aufwärtswandler für Solarinverter
- DG004: Multiimpulstest zur Verifikation von GaN-Layouts
- DG005: Ultraschnelle Überstrom-Unterbrechungsschaltung für das Prototyping
- DG006: DC/DC-LLC-Design für 600 W mit GaN-FETs
- DG007: 200kHz-Vollbrücke mit Phasenverschiebung für ein 3,3kW-On-Board-Ladegerät für Elektrofahrzeuge
- DG008: Doppelte aktive 100kHz-Brücke für bidirektionales 3,3kW-Batterieladegerät
Spice-Modelle nach Teilenummer
- TPH3202Px/Lx (600 V, 290 mΩ) | v 2.0
- TPH3206Px/Lx (600 V, 150 mΩ) | v 2.0
- TPH3208PS/Lxx (650 V, 110m Ω) | v 2.0
- TPH3212PS (650 V, 72 mΩ) | v 2.0
- TPH3205WSB/WSBQA (650 V, 49 mΩ) | v 2.3
- TPH3207WS (650 V, 35 mΩ) | v 2.2
- TP65H070LxG (650 V, 50 mΩ) | v 0.1
- TP65H050WS (650 V, 50 mΩ) | v 0.1
- TP65H035WS (650 V, 35 mΩ) | v 0.1
- Alle Modelle herunterladen
Hier finden Sie technische Artikel mit Details zu vielen Themen in Zusammenhang mit der Entwicklung mit GaN
Barr, R., Haller, J., Shono, K., Georgieva, E., McKay, J., Smith, P., Smith, K., Rakesh, L., Yifeng, Y., High Voltage GaN Switch Reliability, November 2018
Parikh, Primit; Smith, Kurt; Barr, Ronald; et al., 650 Volt GaN Commercialization Reaches Automotive Standards, ECS Transactions, September 2017
Parikh, Primit, Driving the Adoption of High Voltage Gallium Nitride Field-Effect Transistors [Expert View], IEEE Power Electronics Magazine, September 2017
Huang, Zan; Cuadra, Jason, Preventing GaN Device VHF Oscillation, APEC 2017 Industry Session, März 2017
Zuk, Philip; Campeau, Gaetan, How to Design with GaN in Under an Hour, APEC 2017 Exhibitor Session, März 2017
Smith, Kurt; Barr, Ronald, Reliability Lifecycle of GaN Power Devices, Hintergrundartikel, März 2017
Wang, Zhan; Wu, Yifeng, 99% Efficiency True-Bridgeless Totem-Pole PFC Based on GaN HEMTs
Wang, Zhan; Honea, Jim; Wu, Yifeng, Design and Implementation of a High-efficiency Three-level Inverter Using GaN HEMTs, Mai 2015 (IEEE-Zugang erforderlich)
Zhou, Liang; Wu, Yifeng; Honea, Jim; Wang, Zhan, High-efficiency True Bridgeless Totem Pole PFC based on GaN HEMT: Design Challenges and Cost-effective Solutions, Mai 2015 (IEEE-Zugang erforderlich)
Wang, Zhan; Wu, Yifeng; Honea, Jim; Zhou, Liang, Paralleling GaN HEMTs for diode-free bridge power converters, März 2015
Kikkawa, T., et al, 600V JEDEC-qualified Highly-reliable GaN HEMTs on Si Substrates, Dezember 2014 (IEEE-Zugang erforderlich)
Wu, Yifeng; Guerrero, Jose; McKay, Jim; Smith, Kurt, Advances in reliability and operation space of high-voltage GaN power devices on Si substrates, Oktober 2014 (IEEE-Zugang erforderlich)
Wang, Zhan; Honea, Jim; Yuxiang Shi; Hui Li, Investigation of driver circuits for GaN HEMTs in leaded packages, Oktober 2014
Wu, Y.; Gritters, J.; Shen, L.; Smith, R.P.; Swenson, B., kV-class GaN-on-Si HEMTs Enabling 99% Efficiency Converter at 800V and 100kHz, Juni 2014 (IEEE-Zugang erforderlich)
Wu, Y.; Gritters, J.; Shen, L.; Smith, R.P.; McKay, J.; Barr, R.; Birkhahn, R., Performance and Robustness of First Generation 600V GaN-on-Si Power Transistors, Oktober 2013 (IEEE-Zugang erforderlich)
Parikh, Primit; Wu, Yifeng; Shen, Likun, Commercialization of High 600V GaN-on-Silicon Power Devices, Mai 2013 (IEEE-Zugang erforderlich)
Wu, Yifeng, GaN Offers Advantages to Future HEV, März 2013
Wu, Y.; Kebort, D.; Guerrero, J.; Yea, S.; Honea, J.; Shirabe, K.; Kang, J., High-Frequency, GaN Diode-Free Motor Drive Inverter with Pure Sine Wave Output, Oktober 2012
Shirabe, Kohei; Swamy, Mahesh; Kang, Jun-Koo; Hisatsune, Masaki; Wu, Yifeng; Kebort, Don; Honea, Jim, Advantages of High-frequency PWM in AC Motor Drive Applications, September 2012 (IEEE-Zugang erforderlich)
Wu, Y.; Coffie, R.; Fichtenbaum, N.; Dora, Y.; Suh, C.S.; Shen, L.; Parikh, P.; Mishra, U.K., Total GaN solution to electrical power conversion, Juni 2011 (IEEE-Zugang erforderlich)
Anwendungsfälle
GaN von Transphorm auf einer Multiapplikations-Plattform
GaN von Transphorm in Server-Netzteilen
GaN von Transphorm in CRPS-Netzteilen (Common Redundant Power Supplies)
Weiterbildung
Vergleich des Cascode von Transphorm mit E-Mode
Videos
Schweiz