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FET au nitrure de gallium (GaN) cascode TP65H035WS
Le FET GaN cascode TP65H035WS en boîtier TO-247 de Transphorm offre des performances et une fiabilité supérieures
Le FET GaN 650 V, 35 mΩ TP65H035WS de Transphorm est un dispositif normalement désactivé. Il combine un transistor HEMT GaN haute tension de pointe et des technologies MOSFET silicium basse tension, offrant des performances et une fiabilité supérieures.
Le GaN de Transphorm présente un rendement amélioré par rapport au silicium grâce à une charge de grille, une perte de recouvrement et une charge de recouvrement inverse inférieures.
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TP65H035WS Cascode GaN FET
| Image | Référence fabricant | Description | Technologies | Tension drain-source (Vdss) | Quantité disponible | Prix | Afficher les détails | |
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 |  | TP65H035WS | GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3 | GaNFET (FET au nitrure de gallium cascode) | 650 V | 0 - Immédiatement | $17.66 | Afficher les détails |
Date de publication : 2018-08-08
Suisse