Vishay / Siliconix

MOSFET Gén. V 150 V SiR578DP

Le MOSFET de Vishay offre 7,3 mΩ dans son boîtier PowerPAK® peu encombrant

Image des MOSFET Gén. V 150 V SiR578DP de VishayLe MOSFET de puissance TrenchFET® Gén. V de Vishay offre une densité de puissance et un rendement accrus pour les topologies isolées et non isolées. En associant une résistance à l'état passant ultrafaible, un fonctionnement haute température jusqu'à +175°C et le boîtier PowerPAK® peu encombrant, le dispositif contribue à promouvoir une fiabilité de niveau de carte avec sa construction sans fil de liaison. Les MOSFET TrenchFET Gén. V offrent des améliorations du facteur de mérite (FOM) pour une conversion de puissance plus efficace. Ils sont également testés RG et UIS à 100 %, conformes à RoHS et sans halogène.

Fonctionnalités
  • MOSFET de puissance TrenchFET Gén. V
  • Produit FOM RDS(ON) x Qg ultrafaible
  • Rapport QDG/QGS optimisé
  • Excellentes performances de rendement dans les alimentations
Applications
  • Commutateurs primaires
  • Redressement synchrone de puissance de télécommunication
  • Gestion des batteries
  • Marchés industriels

150 V Gen V SiR578DP MOSFETs

ImageRéférence fabricantDescriptionType de FETTechnologiesTension drain-source (Vdss)Quantité disponiblePrixAfficher les détails
N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POWSIR578DP-T1-RE3N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POWCanal NMOSFET (oxyde métallique)150 V4063 - Immédiatement$2.11Afficher les détails
Date de publication : 2024-02-01

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