MOSFET dans les infrastructures 5G

Les MOSFET de Vishay pour l'infrastructure de puissance de la 5G offrent des solutions d'alimentation des télécommunications jusqu'à 6 kW

Image des MOSFET dans les infrastructures 5G de Vishay SiliconixVishay propose une large gamme de MOSFET de puissance, conditionnés dans des boîtiers à montage en surface pour les infrastructures 5G, les stations de base, l'informatique en périphérie (edge computing) et le cloud computing. Dans les boîtiers PowerPAK® 10x12 et 8x8, les MOSFET à superjonction de la série E offrent le meilleur facteur de mérite (FOM) de leur catégorie pour la correction du facteur de puissance (PFC), tandis que la série EF, avec ses diodes de substrat rapides intégrées, offre une valeur QRR réduite, ainsi qu'une charge et une décharge plus rapides pour la modulation de largeur d'impulsion (PWM). Les MOSFET Gen V moyenne et basse tension, à très faible résistance à l'état passant et conditionnés en boîtiers PowerPAK SO-8 et SO-8DC sont optimisés pour les applications de redressement synchrone et OR-ing.

Fonctionnalités
  • MOSFET standard à superjonction série E
    • Meilleures solutions PFC de leur catégorie
    • Le meilleur facteur de mérite
  • MOSFET à superjonction série EF avec diode de substrat rapide intégrée
    • La diode de substrat rapide permet de réduire jusqu'à 10 fois la valeur QRR par rapport au MOSFET standard série E en matière de contrôle de la durée de vie
    • Réduction d'un facteur 2 du temps de charge et de décharge par rapport aux produits concurrents
    • Conception et développement pour les topologies de commutation douce telles que la résonance LLC
  • MOSFET basse et moyenne tension Gen V
    • Options de 80 V à 150 V
    • Combinaison optimisée de RDS(ON), QG et COSS
Applications
  • Informatique en périphérie (edge computing)
  • Cloud computing
  • Infrastructure 5G
  • Stations de base 5G
  • Routeurs 5G
  • Alimentations à découpage CA/CC

MOSFETs in 5G

ImageRéférence fabricantDescriptionCourant - Drain continu (Id) à 25°CTension de commande (Rds On max., Rds On min.)Tension drain-source (Vdss)Quantité disponiblePrixAfficher les détails
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POWSIR510DP-T1-RE3N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW31A (Ta), 126A (Tc)7,5V, 10V100 V455 - Immédiatement$1.77Afficher les détails
MOSFET N-CH 800V 5.4A DPAKSIHD6N80E-GE3MOSFET N-CH 800V 5.4A DPAK5,4 A (Tc)10V800 V1972 - Immédiatement$2.22Afficher les détails
MOSFET N-CH 600V 40A TO247ACSIHG065N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC40 A (Tc)10V600 V430 - Immédiatement$5.03Afficher les détails
MOSFET N-CH 600V 99A TO247ACSIHG018N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 99A TO247AC99 A (Tc)10V600 V735 - Immédiatement$14.26Afficher les détails
MOSFET N-CH 800V 8A D2PAKSIHB11N80AE-GE3MOSFET N-CH 800V 8A D2PAK8 A (Tc)10V800 V924 - Immédiatement$2.19Afficher les détails
MOSFET N-CH 600V 8.4A TO220SIHA186N60EF-GE3MOSFET N-CH 600V 8.4A TO2208,4 A (Tc)10V600 V0 - Immédiatement$1.33Afficher les détails
MOSFET N-CH 600V 8.4A D2PAKSIHB186N60EF-GE3MOSFET N-CH 600V 8.4A D2PAK8,4 A (Tc)10V600 V3274 - Immédiatement$3.10Afficher les détails
MOSFET N-CH 600V 15A TO220SIHF15N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 15A TO22015 A (Tc)10V600 V725 - Immédiatement$2.88Afficher les détails
MOSFET N-CH 600V 8.4A TO247ACSIHG186N60EF-GE3MOSFET N-CH 600V 8.4A TO247AC8,4 A (Tc)10V600 V32 - Immédiatement$3.46Afficher les détails
MOSFET N-CH 800V 12A TO220SIHA11N80E-GE3MOSFET N-CH 800V 12A TO22012 A (Tc)10V800 V1081 - Immédiatement$1.67Afficher les détails
MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIHA105N60EF-GE3MOSFET N-CH 600V 12A TO22012 A (Tc)10V600 V983 - Immédiatement$3.38Afficher les détails
MOSFET N-CH 600V 21A TO220SIHF22N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 21A TO22021 A (Tc)10V600 V1487 - Immédiatement$4.20Afficher les détails
MOSFET N-CH 600V 29A TO247ACSIHG105N60EF-GE3MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC29 A (Tc)10V600 V315 - Immédiatement$2.84Afficher les détails
MOSFET N-CH 800V 17.4A TO220ABSIHP21N80AE-GE3MOSFET N-CH 800V 17.4A TO220AB17,4A (Tc)10V800 V0 - Immédiatement$4.20Afficher les détails
MOSFET N-CH 600V 11A TO220SIHA125N60EF-GE3MOSFET N-CH 600V 11A TO22011 A (Tc)10V600 V980 - Immédiatement$4.24Afficher les détails
MOSFET N-CH 600V 30A D2PAKSIHB100N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK30 A (Tc)10V600 V940 - Immédiatement$4.70Afficher les détails
MOSFET N-CH 600V 30A TO247ACSIHG100N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 30A TO247AC30 A (Tc)10V600 V359 - Immédiatement$3.90Afficher les détails
MOSFET N-CH 600V 40A D2PAKSIHB065N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 40A D2PAK40 A (Tc)10V600 V0 - Immédiatement$4.86Afficher les détails
MOSFET N-CH 600V 40A TO220SIHF065N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 40A TO22040 A (Tc)10V600 V201 - Immédiatement$5.65Afficher les détails
MOSFET EF SERIES TO-220ABSIHP052N60EF-GE3MOSFET EF SERIES TO-220AB48 A (Tc)10V600 V916 - Immédiatement$5.06Afficher les détails
Date de publication : 2022-12-08