Double MOSFET à canal N 60 V à drain commun SISF20DN-T1-GE3

Le dispositif SISF20DN-T1-GE3 de Vishay Siliconix est conçu pour augmenter la densité de puissance et le rendement des systèmes de gestion de batteries

Image du double MOSFET à canal N 60 V à drain commun SISF20DN-T1-GE3 de Vishay SiliconixLe dispositif SISF20DN-T1-GE3 de Vishay Siliconix est un double MOSFET à canal N 60 V à drain commun, conditionné dans le boîtier compact PowerPAK® 1212-8SCD thermiquement amélioré. Conçu pour augmenter la densité de puissance et le rendement dans les systèmes de gestion des batteries, les chargeurs enfichables et sans fil, les convertisseurs CC/CC et les alimentations, le transistor SiSF20DN de Vishay Siliconix offre la valeur de résistance RS-S(ON) la plus basse de l'industrie dans un dispositif à drain commun de 60 V.

Le double MOSFET fournit une valeur RS-S(ON) de 10 mΩ (typ.) à 10 V, soit actuellement la plus faible parmi les dispositifs de 60 V dans l'empreinte de 3 mm x 3 mm. Cette valeur représente également une amélioration de 42,5 % par rapport à la meilleure solution suivante dans cette taille d'empreinte et est inférieure de 89 % à celle des dispositifs de la génération précédente de Vishay. Il en résulte des chutes de tension réduites sur le chemin d'alimentation et des pertes de puissance minimisées pour un rendement accru. Pour une densité de puissance plus élevée, la valeur RS1S2(ON) du SiSF20DN multipliée par la surface est inférieure de 46,6 % à celle du MOSFET le plus proche, même en incluant des solutions plus importantes de 6 mm x 5 mm.

Pour économiser de l'espace sur le circuit imprimé, réduire le nombre de composants et simplifier les conceptions, le dispositif utilise une construction de boîtier optimisée avec deux MOSFET à canal N TrenchFET® Gen IV intégrés monolithiquement dans une configuration de drain commun. Les contacts source du SiSF20DN sont placés côte à côte avec des connexions élargies, augmentant la zone de contact avec la carte à circuit imprimé et réduisant encore davantage la résistivité par rapport aux types de boîtiers doubles classiques. Cette conception rend le MOSFET idéal pour la commutation bidirectionnelle dans les systèmes de 24 V et les applications industrielles, notamment l'automatisation d'usine, les outils électriques, les drones, les entraînements de moteur, les produits blancs, la robotique, la sécurité/surveillance et les détecteurs de fumée. Le SiSF20DN est entièrement testé Rg et UIS, conforme à la directive RoHS et sans halogène.

Fonctionnalités
  • MOSFET de puissance TrenchFET Gen IV
  • Très faible résistance à l'état passant source-à-source
  • MOSFET à canal N à drain commun intégrés dans un boîtier compact et thermiquement amélioré
  • Entièrement soumis à des tests Rg et UIS
  • Optimise la disposition des circuits pour un flux de courant bidirectionnel
Applications
  • Interrupteurs de protection des batteries
  • Commutateurs bidirectionnels
  • Commutateurs de charge
  • Systèmes de 24 V

SISF20DN-T1-GE3 Common-Drain Dual N-Channel 60 V MOSFET

ImageRéférence fabricantDescriptionFonction FETCourant - Drain continu (Id) à 25°CRds On (max.) à Id, VgsQuantité disponiblePrixAfficher les détails
MOSFET 2N-CH 60V 14A PWRPAK1212SISF20DN-T1-GE3MOSFET 2N-CH 60V 14A PWRPAK1212-14 A (Ta), 52 A (Tc)13mohms à 7A, 10V0 - Immédiatement$1.86Afficher les détails
Date de publication : 2020-01-23