Name: G3R160MT12J-TR
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 1242-G3R160MT12J-TR-ND
Price: 6.28061 CHF
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

G3R160MT12J-TR
Numéro de produit DigiKey	1242-G3R160MT12J-TR-ND - Bande et bobine 1242-G3R160MT12J-TRCT-ND - Bande coupée (CT) 1242-G3R160MT12J-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	GeneSiC Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	G3R160MT12J-TR
Description	1200V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	20 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 19 A (Tc) 110W (Tc) Montage en surface TO-263-7
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	GeneSiC Semiconductor
Série	G3R™, LoRing™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	19 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	15V, 18V
Rds On (max.) à Id, Vgs	180mohms à 10A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id	2,7V à 5mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	23 nC @ 15 V
Vgs (max.)	+22V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	724 pF @ 800 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	110W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-263-7
Boîtier	TO-263-8, D2PAK (7 sorties + languette), TO-263CA