Name: G3R75MT12K
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 1242-G3R75MT12K-ND
Price: 9.31822 CHF
Availability: InStock

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G3R75MT12K
Numéro de produit DigiKey	1242-G3R75MT12K-ND
Fabricant	GeneSiC Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	G3R75MT12K
Description	SIC MOSFET N-CH 41A TO247-4
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	20 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 41 A (Tc) 207W (Tc) Trou traversant TO-247-4
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	G3R75MT12K Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	GeneSiC Semiconductor
Série	G3R™
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	41 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	15V
Rds On (max.) à Id, Vgs	90mohms à 20A, 15V
Vgs(th) (max.) à Id	2,69V à 7,5mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	54 nC @ 15 V
Vgs (max.)	+22V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1560 pF @ 800 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	207W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-247-4
Boîtier	TO-247-4
Numéro de produit de base	G3R75

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Quantité

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Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	Fr. 8.62000	Fr. 8.62
10	Fr. 7.76800	Fr. 77.68
25	Fr. 7.44800	Fr. 186.20
100	Fr. 7.00000	Fr. 700.00
250	Fr. 6.71200	Fr. 1’678.00
500	Fr. 6.51202	Fr. 3’256.01
1’000	Fr. 6.31202	Fr. 6’312.02

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.