G60KN30I Goford Semiconductor | Produits semi-conducteurs discrets

G60KN30I est obsolète et n'est plus fabriqué.

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Équivalent paramétrique

Goford Semiconductor

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Prix unitaire : Fr. 0.00000

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G60KN30I
Numéro de produit DigiKey	3141-G60KN30ITR-ND - Bande et bobine 3141-G60KN30ICT-ND - Bande coupée (CT) 3141-G60KN30IDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Goford Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	G60KN30I
Description	MOSFET N-CH 300V 0.3A SOT-23
Référence client
Description détaillée	Canal N 300 V 300mA (Tc) 710mW (Tc) Montage en surface SOT-23-3
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Goford Semiconductor
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	300 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	300mA (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	5,4ohms à 300mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	1,8V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	2.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	68 pF @ 150 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	710mW (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SOT-23-3
Boîtier	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3