Name: AIMBG75R040M1HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMBG75R040M1HXTMA1TR-ND
Price: 10.84243 CHF
Availability: InStock

Canal N 750 V 47 A (Tc) 211W (Tc) Montage en surface PG-TO263-7-12

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

AIMBG75R040M1HXTMA1
Numéro de produit DigiKey	448-AIMBG75R040M1HXTMA1TR-ND - Bande et bobine 448-AIMBG75R040M1HXTMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-AIMBG75R040M1HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	AIMBG75R040M1HXTMA1
Description	SICFET N-CH 750V 47A TO-263
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	61 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 750 V 47 A (Tc) 211W (Tc) Montage en surface PG-TO263-7-12
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 34 nC @ 18 V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs (max.) +25V, -10V
Série CoolSiC™	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1135 pF @ 500 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Dissipation de puissance (max.) 211W (Tc)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies SiCFET (carbure de silicium)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 750 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 47 A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-TO263-7-12
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 15V, 20V	Boîtier TO-263-8, D2PAK (7 sorties + languette), TO-263CA
Rds On (max.) à Id, Vgs 37mohms à 16,6A, 20V	Numéro de produit de base AIMBG75
Vgs(th) (max.) à Id 5,6V à 6mA