Name: BSZ100N03MSGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ100N03MSGATMA1TR-ND
Price: 0.85399 CHF
Availability: InStock

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BSZ100N03MSGATMA1
Numéro de produit DigiKey	BSZ100N03MSGATMA1TR-ND - Bande et bobine BSZ100N03MSGATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) BSZ100N03MSGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	BSZ100N03MSGATMA1
Description	MOSFET N-CH 30V 10A/40A 8TSDSON
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	61 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 10 A (Ta), 40 A (Tc) 2,1W (Ta), 30W (Tc) Montage en surface PG-TSDSON-8
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	BSZ100N03MSGATMA1 Modèles

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Category Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2V à 250µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 23 nC @ 10 V
Série OptiMOS™	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1700 pF @ 15 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 2,1W (Ta), 30W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Boîtier fournisseur PG-TSDSON-8
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 10 A (Ta), 40 A (Tc)	Boîtier 8-PowerTDFN
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base BSZ100
Rds On (max.) à Id, Vgs 9,1mohms à 20A, 10V

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Ressources supplémentaires

Substituts (10)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
CSD16411Q3	Texas Instruments	5’041	296-24255-1-ND	Fr. 1.19000	Similaire
CSD17308Q3	Texas Instruments	8’994	296-27210-1-ND	Fr. 1.12000	Similaire
CSD17579Q3AT	Texas Instruments	152	296-38463-1-ND	Fr. 1.55000	Similaire
CSD17579Q5AT	Texas Instruments	1’865	296-41100-1-ND	Fr. 1.61000	Similaire
FDMC7692S	onsemi	155	FDMC7692SCT-ND	Fr. 0.69000	Similaire

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