FDMC7692S onsemi | FET, MOSFET simples

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FDMC7692S
Numéro de produit DigiKey	FDMC7692STR-ND - Bande et bobine FDMC7692SCT-ND - Bande coupée (CT) FDMC7692SDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDMC7692S
Description	MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 12,5 A (Ta), 18 A (Tc) 2,3W (Ta), 27W (Tc) Montage en surface 8-MLP (3,3x3,3)
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3V à 1mA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 23 nC @ 10 V
Série PowerTrench®, SyncFET™	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1385 pF @ 15 V
Statut du composant Obsolète	Dissipation de puissance (max.) 2,3W (Ta), 27W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Boîtier fournisseur 8-MLP (3,3x3,3)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 12,5 A (Ta), 18 A (Tc)	Boîtier 8-PowerWDFN
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base FDMC7692
Rds On (max.) à Id, Vgs 9,3mohms à 12,5A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (8)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
BSZ100N03MSGATMA1	Infineon Technologies	23	BSZ100N03MSGATMA1CT-ND	Fr. 0.79000	Similaire
BSZ130N03LSGATMA1	Infineon Technologies	25’755	BSZ130N03LSGATMA1CT-ND	Fr. 0.76000	Similaire
BSZ130N03MSGATMA1	Infineon Technologies	1’188	BSZ130N03MSGATMA1CT-ND	Fr. 0.86000	Similaire
CSD17308Q3	Texas Instruments	8’654	296-27210-1-ND	Fr. 1.12000	Similaire
CSD17579Q3A	Texas Instruments	0	296-39998-1-ND	Fr. 0.72000	Similaire

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Bande coupée (CT)

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FDMC7692S