BSZ130N03MSGATMA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET simples

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BSZ130N03MSGATMA1
Numéro de produit DigiKey	BSZ130N03MSGATMA1TR-ND - Bande et bobine BSZ130N03MSGATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) BSZ130N03MSGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	BSZ130N03MSGATMA1
Description	MOSFET N-CH 30V 9A/35A 8TSDSON
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 9 A (Ta), 35 A (Tc) 2,1W (Ta), 25W (Tc) Montage en surface PG-TSDSON-8
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	BSZ130N03MSGATMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2V à 250µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 17 nC @ 10 V
Série OptiMOS™	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1300 pF @ 15 V
Statut du composant Obsolète	Dissipation de puissance (max.) 2,1W (Ta), 25W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Boîtier fournisseur PG-TSDSON-8
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 9 A (Ta), 35 A (Tc)	Boîtier 8-PowerTDFN
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base BSZ130
Rds On (max.) à Id, Vgs 11,5mohms à 20A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (5)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
CSD17579Q3A	Texas Instruments	0	296-39998-1-ND	Fr. 0.72000	Similaire
CSD17579Q3AT	Texas Instruments	1’049	296-38463-1-ND	Fr. 1.55000	Similaire
RQ3E100BNTB	Rohm Semiconductor	4’256	RQ3E100BNTBCT-ND	Fr. 0.56000	Similaire
RQ3E120BNTB	Rohm Semiconductor	2’572	RQ3E120BNTBCT-ND	Fr. 0.75000	Similaire
STL11N3LLH6	STMicroelectronics	3’796	497-11099-1-ND	Fr. 1.18000	Similaire