Name: IAUTN08S5N012LATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUTN08S5N012LATMA1TR-ND
Price: 5.57796 CHF
Availability: InStock

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IAUTN08S5N012LATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IAUTN08S5N012LATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IAUTN08S5N012LATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IAUTN08S5N012LATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IAUTN08S5N012LATMA1
Description	MOSFET 2N-CH 80V 300A PG-HSOF
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	27 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 80V 300A (Tj) 375W (Tc) Montage en surface PG-HSOF-8-2
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IAUTN08S5N012LATMA1 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Vgs(th) (max.) à Id 3,3V à 275µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 24nC à 10V
Série OptiMOS™ 5	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 15340pF à 40V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Puissance - Max. 375W (Tc)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Configuration 2 canaux N, drain commun, source commune	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 80V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 300A (Tj)	Boîtier 8-PowerSFN
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,15mohms à 100A, 10V	Boîtier fournisseur PG-HSOF-8-2