MOSFET - Matrices 80V 200A (Tj) Trou traversant APM12-CBA
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NXV08A170DB2

Numéro de produit DigiKey
488-NXV08A170DB2-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
NXV08A170DB2
Description
MOSFET 2N-CH 80V 200A APM12-CBA
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
33 semaines
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 80V 200A (Tj) Trou traversant APM12-CBA
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Fabricant
onsemi
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
195nC à 10V
Conditionnement
Plateau
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
14000pF à 40V
Statut du composant
Actif
Température de fonctionnement
175°C (TJ)
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Grade
Automobile
Configuration
2 canaux N (demi-pont)
Qualification
AEC-Q100
Tension drain-source (Vdss)
80V
Type de montage
Trou traversant
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
200A (Tj)
Boîtier
Module 12-PowerDIP (1,118po, 28,40mm)
Rds On (max.) à Id, Vgs
0,99mohms à 80A, 10V, 1,35mohms à 80A, 10V
Boîtier fournisseur
APM12-CBA
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
En stock: 204
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Tous les prix sont en CHF
Plateau
Quantité Prix unitaire Prix total
1Fr. 16.30000Fr. 16.30
10Fr. 11.70800Fr. 117.08
288Fr. 9.32882Fr. 2’686.70
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
Prix unitaire sans TVA:Fr. 16.30000
Prix unitaire avec TVA:Fr. 17.62030