IGT60R070D1ATMA4 Infineon Technologies | Produits semi-conducteurs discrets

IGT60R070D1ATMA4 est obsolète et n'est plus fabriqué.

Substituts disponibles:

Recommandation fabricant

Infineon Technologies

En stock: 605

Prix unitaire : Fr. 5.35000

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IGT60R070D1ATMA4
Numéro de produit DigiKey	448-IGT60R070D1ATMA4TR-ND - Bande et bobine 448-IGT60R070D1ATMA4CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IGT60R070D1ATMA4DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IGT60R070D1ATMA4
Description	GANFET N-CH
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 31 A (Tc) 125W (Tc) Montage en surface PG-HSOF-8-3
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	CoolGaN™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	GaNFET (nitrure de gallium)
Tension drain-source (Vdss)	600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	31 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	-
Rds On (max.) à Id, Vgs	-
Vgs(th) (max.) à Id	1,6V à 2,6mA
Vgs (max.)	-10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	380 pF @ 400 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	125W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-HSOF-8-3
Boîtier	8-PowerSFN