IGT60R070D1ATMA4 Infineon Technologies | FET, MOSFET simples

IGT60R070D1ATMA4 est obsolète et n'est plus fabriqué.

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Recommandation fabricant

Infineon Technologies

En stock: 1’991

Prix unitaire : Fr. 5.58000

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IGT60R070D1ATMA4
Numéro de produit DigiKey	448-IGT60R070D1ATMA4TR-ND - Bande et bobine 448-IGT60R070D1ATMA4CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IGT60R070D1ATMA4DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IGT60R070D1ATMA4
Description	GANFET N-CH
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 31 A (Tc) 125W (Tc) Montage en surface PG-HSOF-8-3
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 1,6V à 2,6mA
Fabricant Infineon Technologies	Vgs (max.) -10V
Série CoolGaN™	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 380 pF @ 400 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Dissipation de puissance (max.) 125W (Tc)
Statut du composant Obsolète	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de FET Canal N	Type de montage Montage en surface
Technologies GaNFET (nitrure de gallium)	Boîtier fournisseur PG-HSOF-8-3
Tension drain-source (Vdss) 600 V	Boîtier 8-PowerSFN
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 31 A (Tc)