Name: IMZA65R050M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMZA65R050M2HXKSA1-ND
Price: 7.62105 CHF
Availability: InStock

Canal N 650 V 38 A (Tc) 153W (Tc) Trou traversant PG-TO247-4-8

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IMZA65R050M2HXKSA1
Numéro de produit DigiKey	448-IMZA65R050M2HXKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IMZA65R050M2HXKSA1
Description	SILICON CARBIDE MOSFET
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	61 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 38 A (Tc) 153W (Tc) Trou traversant PG-TO247-4-8
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 5,6V à 3,7mA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 22 nC @ 18 V
Série CoolSiC™ Gen 2	Vgs (max.) +23V, -7V
Conditionnement Tube	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 790 pF @ 400 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 153W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies SiCFET (carbure de silicium)	Type de montage Trou traversant
Tension drain-source (Vdss) 650 V	Boîtier fournisseur PG-TO247-4-8
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 38 A (Tc)	Boîtier TO-247-4
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 15V, 20V	Numéro de produit de base IMZA65R050
Rds On (max.) à Id, Vgs 46mohms à 18,2A, 20V

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Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	Fr. 7.05000	Fr. 7.05
30	Fr. 4.11400	Fr. 123.42
120	Fr. 3.46833	Fr. 416.20
510	Fr. 2.99557	Fr. 1’527.74
1’020	Fr. 2.87597	Fr. 2’933.49

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.