Name: IMZA65R075M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMZA65R075M2HXKSA1-ND
Price: 6.1617 CHF
Availability: InStock

Nouveau produit

Canal N 650 V 26,6 A (Tc) 111W (Tc) Trou traversant PG-TO247-4-8

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IMZA65R075M2HXKSA1
Numéro de produit DigiKey	448-IMZA65R075M2HXKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IMZA65R075M2HXKSA1
Description	IMZA65R075M2HXKSA1
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	61 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 26,6 A (Tc) 111W (Tc) Trou traversant PG-TO247-4-8
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 68mohms à 11,9A, 20V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) à Id 5,6V à 2,4mA
Série CoolSiC™ G2	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 14.9 nC @ 18 V
Conditionnement Tube	Vgs (max.) +23V, -7V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 516 pF @ 400 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 111W (Tc)
Technologies SiCFET (carbure de silicium)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 650 V	Type de montage Trou traversant
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 26,6 A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-TO247-4-8
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 15V, 20V	Boîtier TO-247-4

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Quantité

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Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	Fr. 5.70000	Fr. 5.70
30	Fr. 3.26800	Fr. 98.04
120	Fr. 2.73275	Fr. 327.93
510	Fr. 2.34057	Fr. 1’193.69
1’020	Fr. 2.19749	Fr. 2’241.44
2’010	Fr. 2.16893	Fr. 4’359.55

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.