Canal N 1200 V 38 A (Tc) 182W (Tc) Trou traversant PG-TO247-4-17
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Canal N 1200 V 38 A (Tc) 182W (Tc) Trou traversant PG-TO247-4-17
CoolSiC™ G2 1200 V Silicon Carbide Discrete MOSFETs from Infineon PIO | DigiKey

IMZC120R053M2HXKSA1

Numéro de produit DigiKey
448-IMZC120R053M2HXKSA1-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
IMZC120R053M2HXKSA1
Description
SICFET N-CH 1200V 38A TO247
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
45 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 1200 V 38 A (Tc) 182W (Tc) Trou traversant PG-TO247-4-17
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
IMZC120R053M2HXKSA1 Modèles
Attributs du produit
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Catégorie
Rds On (max.) à Id, Vgs
53mohms à 13A, 18V
Fabricant
Vgs(th) (max.) à Id
5,1V à 4,1mA
Série
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
30 nC @ 18 V
Conditionnement
Tube
Vgs (max.)
+23V, -7V
Statut du composant
Actif
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1010 pF @ 800 V
Type de FET
Dissipation de puissance (max.)
182W (Tc)
Technologies
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss)
1200 V
Type de montage
Trou traversant
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier fournisseur
PG-TO247-4-17
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
15V, 18V
Boîtier
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
En stock: 362
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Tous les prix sont en CHF
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
1Fr. 7.91000Fr. 7.91
30Fr. 4.66167Fr. 139.85
120Fr. 3.94742Fr. 473.69
510Fr. 3.42453Fr. 1’746.51
1’020Fr. 3.34825Fr. 3’415.22
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
Prix unitaire sans TVA:Fr. 7.91000
Prix unitaire avec TVA:Fr. 8.55071