Name: IMZC120R078M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMZC120R078M2HXKSA1-ND
Price: 7.59943 CHF
Availability: InStock

Canal N 1200 V 28 A (Tc) 143W (Tc) Trou traversant PG-TO247-4-17

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IMZC120R078M2HXKSA1
Numéro de produit DigiKey	448-IMZC120R078M2HXKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IMZC120R078M2HXKSA1
Description	SICFET N-CH 1200V 28A TO247
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	45 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 28 A (Tc) 143W (Tc) Trou traversant PG-TO247-4-17
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IMZC120R078M2HXKSA1 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 78mohms à 9A, 18V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) à Id 5,1V à 2,8mA
Série CoolSiC™ G2	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 21 nC @ 18 V
Conditionnement Tube	Vgs (max.) +23V, -7V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 700 pF @ 800 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 143W (Tc)
Technologies SiCFET (carbure de silicium)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 1200 V	Type de montage Trou traversant
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 28 A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-TO247-4-17
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 15V, 18V	Boîtier TO-247-4

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

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Quantité

Tous les prix sont en CHF

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	Fr. 7.03000	Fr. 7.03
30	Fr. 4.09900	Fr. 122.97
120	Fr. 3.45517	Fr. 414.62
510	Fr. 2.98380	Fr. 1’521.74
1’020	Fr. 2.86312	Fr. 2’920.38

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.