
IPW60R045CPFKSA1 | |
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Numéro de produit DigiKey | 448-IPW60R045CPFKSA1-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPW60R045CPFKSA1 |
Description | MOSFET N-CH 650V 60A TO247-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 60 A (Tc) 431W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3-1 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IPW60R045CPFKSA1 Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 3mA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 190 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 6800 pF @ 100 V |
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions | Dissipation de puissance (max.) 431W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Boîtier fournisseur PG-TO247-3-1 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 45mohms à 44A, 10V |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| STW65N65DM2AG | STMicroelectronics | 379 | 497-16127-5-ND | Fr. 8.82000 | Direct |
| FCH040N65S3-F155 | onsemi | 875 | FCH040N65S3-F155-ND | Fr. 11.05000 | Similaire |
| FCH041N65F-F085 | onsemi | 282 | FCH041N65F-F085-ND | Fr. 12.20000 | Similaire |
| IXFH80N65X2 | IXYS | 3’650 | 238-IXFH80N65X2-ND | Fr. 13.07000 | Similaire |
| SIHW70N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHW70N60EF-GE3-ND | Fr. 6.52496 | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 13.08000 | Fr. 13.08 |
| 30 | Fr. 8.04633 | Fr. 241.39 |
| 120 | Fr. 6.94375 | Fr. 833.25 |
| 510 | Fr. 6.44622 | Fr. 3’287.57 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 13.08000 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 14.13948 |


