Name: IQE004NE1LM7CGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE004NE1LM7CGSCATMA1TR-ND
Price: 2.63764 CHF
Availability: InStock

Canal N 15 V 58A (Ta), 379A (Tc) 2,1W (Ta), 89W (Tc) Montage en surface PG-WHTFN-9

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IQE004NE1LM7CGSCATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IQE004NE1LM7CGSCATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IQE004NE1LM7CGSCATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IQE004NE1LM7CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IQE004NE1LM7CGSCATMA1
Description	TRENCH <= 40V
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	61 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 15 V 58A (Ta), 379A (Tc) 2,1W (Ta), 89W (Tc) Montage en surface PG-WHTFN-9
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IQE004NE1LM7CGSCATMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 0,45mohms à 30A, 7V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) à Id 2V à 432µA
Série OptiMOS™ 7	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 55 nC @ 7 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±7V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 6240 pF @ 7.5 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 2,1W (Ta), 89W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 15 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 58A (Ta), 379A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-WHTFN-9
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 7V	Boîtier 9-PowerWDFN