Name: IQE006NE2LM5CGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE006NE2LM5CGSCATMA1TR-ND
Price: 3.10247 CHF
Availability: InStock

Canal N 25 V 47A (Ta), 310A (Tc) 2,1W (Ta), 89W (Tc) Montage en surface PG-WHTFN-9-1

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IQE006NE2LM5CGSCATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IQE006NE2LM5CGSCATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IQE006NE2LM5CGSCATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IQE006NE2LM5CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IQE006NE2LM5CGSCATMA1
Description	OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	61 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 25 V 47A (Ta), 310A (Tc) 2,1W (Ta), 89W (Tc) Montage en surface PG-WHTFN-9-1
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IQE006NE2LM5CGSCATMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 0,58mohms à 20A, 10V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) à Id 2V à 250µA
Série OptiMOS™ 5	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 82 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±16V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 5453 pF @ 12 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 2,1W (Ta), 89W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 25 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 47A (Ta), 310A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-WHTFN-9-1
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier 9-PowerWDFN