IRFR120ZTRPBF est obsolète et n'est plus fabriqué.
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Canal N 100 V 8,7 A (Tc) 35W (Tc) Montage en surface TO-252AA (DPAK)
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IRFR120ZTRPBF

Numéro de produit DigiKey
IRFR120ZTRPBFTR-ND - Bande et bobine
IRFR120ZTRPBFCT-ND - Bande coupée (CT)
IRFR120ZTRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
IRFR120ZTRPBF
Description
MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
Référence client
Description détaillée
Canal N 100 V 8,7 A (Tc) 35W (Tc) Montage en surface
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
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Afficher les attributs vides
Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Fabricant
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
10 nC @ 10 V
Série
Vgs (max.)
±20V
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
310 pF @ 25 V
Statut du composant
Obsolète
Dissipation de puissance (max.)
35W (Tc)
Type de FET
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies
Type de montage
Montage en surface
Tension drain-source (Vdss)
100 V
Boîtier fournisseur
TO-252AA (DPAK)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Numéro de produit de base
Rds On (max.) à Id, Vgs
190mohms à 5,2A, 10V
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (8)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
FDD1600N10ALZonsemi22’695FDD1600N10ALZCT-NDFr. 1.29000Similaire
FQD13N10TMonsemi2’784FQD13N10TMCT-NDFr. 1.11000Similaire
IRFR120PBFVishay Siliconix4’201IRFR120PBF-NDFr. 1.78000Similaire
IRFR120TRLPBFVishay Siliconix0IRFR120LPBFCT-NDFr. 1.78000Similaire
IRFR120TRPBFVishay Siliconix0IRFR120TRPBFCT-NDFr. 1.78000Similaire
Obsolète
Ce produit n'est plus fabriqué. Voir Produits de substitution ou Types de conditionnement alternatifs.