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SPA11N60CFDXKSA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SPA11N60CFDXKSA1-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SPA11N60CFDXKSA1 |
Description | MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 600 V 11 A (Tc) 33W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3-31 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SPA11N60CFDXKSA1 Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 5V à 1,9mA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 64 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1200 pF @ 25 V |
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions | Dissipation de puissance (max.) 33W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 600 V | Boîtier fournisseur PG-TO220-3-31 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 440mohms à 7A, 10V |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| R6009KNX | Rohm Semiconductor | 76 | R6009KNX-ND | Fr. 2.27000 | Similaire |
| R6011ENX | Rohm Semiconductor | 373 | R6011ENX-ND | Fr. 3.36000 | Similaire |
| R6011KNX | Rohm Semiconductor | 325 | R6011KNX-ND | Fr. 2.10000 | Similaire |
| SIHA12N60E-E3 | Vishay Siliconix | 814 | SIHA12N60E-E3-ND | Fr. 2.70000 | Similaire |
| SIHF12N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 197 | 742-SIHF12N60E-GE3-ND | Fr. 2.93000 | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 500 | Fr. 1.03832 | Fr. 519.16 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 1.03832 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 1.12242 |





