Name: R6009KNX
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: R6009KNX-ND
Price: 2.45387 CHF
Availability: InStock

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R6009KNX
Numéro de produit DigiKey	R6009KNX-ND
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	R6009KNX
Description	MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 9 A (Tc) 48W (Tc) Trou traversant TO-220FM
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	R6009KNX Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 5V à 1mA
Fabricant Rohm Semiconductor	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 16.5 nC @ 10 V
Conditionnement En vrac	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 540 pF @ 25 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 48W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 600 V	Type de montage Trou traversant
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 9 A (Tc)	Boîtier fournisseur TO-220FM
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier Boîtier complet TO-220-3
Rds On (max.) à Id, Vgs 535mohms à 2,8A, 10V	Numéro de produit de base R6009

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (2)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
TK560A65Y,S4X	Toshiba Semiconductor and Storage	0	TK560A65YS4X-ND	Fr. 2.24000	Similaire
TK9A65W,S5X	Toshiba Semiconductor and Storage	0	TK9A65WS5X-ND	Fr. 2.46000	Similaire

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Prix unitaire avec TVA:	Fr. 2.45387

R6009KNX