SPB10N10L G Infineon Technologies | Produits semi-conducteurs discrets

SPB10N10L G est en fin de série et n'est plus distribué par DigiKey.

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Infineon Technologies

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Prix unitaire : Fr. 0.00000

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SPB10N10L G
Numéro de produit DigiKey	SPB10N10LGINTR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	SPB10N10L G
Description	MOSFET N-CH 100V 10.3A TO263-3
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 10,3 A (Tc) 50W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3-2
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	SIPMOS®
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	En fin de cycle chez Digi-Key
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	10,3 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	154mohms à 8,1A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2V à 21µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	22 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	444 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	50W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-TO263-3-2
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base	SPB10N

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En fin de cycle

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