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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
IXTA3N100D2-TRL | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 238-IXTA3N100D2-TRLTR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IXTA3N100D2-TRL |
Description | MOSFET N-CH 1000V 3A TO263 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 27 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N, mode de déplétion 1000 V 3 A (Tj) 125W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK) |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 37.5 nC @ 5 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Bande et bobine | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1020 pF @ 25 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 125W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 1000 V | Boîtier fournisseur TO-263 (D2PAK) |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 0V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 6ohms à 1,5A, 0V |
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Substituts (2)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IXTA3N100D2HV | IXYS | 0 | 238-IXTA3N100D2HV-ND | Fr. 6.65000 | Équivalent paramétrique |
| IXTA3N100D2HV-TRL | IXYS | 0 | 238-IXTA3N100D2HV-TRLTR-ND | Fr. 3.27868 | Équivalent paramétrique |
Disponible sur commande
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Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 800 | Fr. 3.52496 | Fr. 2’819.97 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 3.52496 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 3.81048 |
