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Équivalent paramétrique


IXYS
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Prix unitaire : Fr. 3.52496
Fiche technique

Équivalent paramétrique


IXYS
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Prix unitaire : Fr. 6.65000
Fiche technique
Canal N, mode de déplétion 1000 V 3 A (Tj) 125W (Tc) Montage en surface TO-263HV
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IXTA3N100D2HV-TRL

Numéro de produit DigiKey
238-IXTA3N100D2HV-TRLTR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
IXTA3N100D2HV-TRL
Description
MOSFET N-CH 1000V 3A TO263HV
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
28 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N, mode de déplétion 1000 V 3 A (Tj) 125W (Tc) Montage en surface TO-263HV
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
4,5V à 250µA
Fabricant
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
37.5 nC @ 5 V
Série
Vgs (max.)
±20V
Conditionnement
Bande et bobine
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1020 pF @ 25 V
Statut du composant
Actif
Dissipation de puissance (max.)
125W (Tc)
Type de FET
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies
Type de montage
Montage en surface
Tension drain-source (Vdss)
1000 V
Boîtier fournisseur
TO-263HV
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
0V
Numéro de produit de base
Rds On (max.) à Id, Vgs
6ohms à 1,5A, 0V
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (2)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
IXTA3N100D2-TRLIXYS0238-IXTA3N100D2-TRLTR-NDFr. 3.52496Équivalent paramétrique
IXTA3N100D2HVIXYS0238-IXTA3N100D2HV-NDFr. 6.65000Équivalent paramétrique
Disponible sur commande
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Tous les prix sont en CHF
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
800Fr. 3.27868Fr. 2’622.94
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:Fr. 3.27868
Prix unitaire avec TVA:Fr. 3.54425
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