IXTP12N65X2M est disponible à l'achat mais n'est pas normalement stocké.
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Direct

FCPF11N65
onsemi
En stock: 0
Prix unitaire : Fr. 0.00000
Fiche technique

Direct

R6011ENX
Rohm Semiconductor
En stock: 500
Prix unitaire : Fr. 3.22000
Fiche technique

Direct

STF16N60M6
STMicroelectronics
En stock: 611
Prix unitaire : Fr. 2.43000
Fiche technique

Similaire

FCPF380N60E
onsemi
En stock: 1’914
Prix unitaire : Fr. 2.62000
Fiche technique

Similaire

IPA60R380C6XKSA1
Infineon Technologies
En stock: 442
Prix unitaire : Fr. 1.94000
Fiche technique

Similaire

IPA65R310CFDXKSA1
Infineon Technologies
En stock: 0
Prix unitaire : Fr. 0.00000
Fiche technique

Similaire

IPAN70R360P7SXKSA1
Infineon Technologies
En stock: 0
Prix unitaire : Fr. 1.40000
Fiche technique

Similaire

IPAN80R360P7XKSA1
Infineon Technologies
En stock: 0
Prix unitaire : Fr. 2.37000
Fiche technique

Similaire

R6011KNX
Rohm Semiconductor
En stock: 337
Prix unitaire : Fr. 2.10000
Fiche technique

Similaire

R6015ANX
Rohm Semiconductor
En stock: 162
Prix unitaire : Fr. 5.48000
Fiche technique

Similaire

STF11NM80
STMicroelectronics
En stock: 946
Prix unitaire : Fr. 4.74000
Fiche technique

Similaire

STF13NM60ND
STMicroelectronics
En stock: 662
Prix unitaire : Fr. 2.45000
Fiche technique

Similaire

STF15N80K5
STMicroelectronics
En stock: 0
Prix unitaire : Fr. 3.58000
Fiche technique

Similaire

STF16N65M5
STMicroelectronics
En stock: 1’597
Prix unitaire : Fr. 2.71000
Fiche technique
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IXFP30N25X3M
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IXTP12N65X2M

Numéro de produit DigiKey
IXTP12N65X2M-ND
Fabricant
IXYS
Numéro de produit du fabricant
IXTP12N65X2M
Description
MOSFET N-CH 650V 12A TO220
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
27 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 650 V 12 A (Tc) 40W (Tc) Trou traversant Languette isolée TO-220
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
IXYS
Série
Ultra X2
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
12 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
300mohms à 6A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
17.7 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1100 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
40W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
Languette isolée TO-220
Boîtier
TO-220-3 boîtier complet, pastille isolée
Numéro de produit de base
IXTP12
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Quantité
Tous les prix sont en CHF
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
300Fr. 1.70763Fr. 512.29
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Prix unitaire sans TVA:Fr. 1.70763
Prix unitaire avec TVA:Fr. 1.84595