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IPAN80R360P7XKSA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IPAN80R360P7XKSA1-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPAN80R360P7XKSA1 |
Description | MOSFET N-CH 800V 13A TO220 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 29 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 800 V 13 A (Tc) 30W (Tc) Trou traversant PG-TO220-FP |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IPAN80R360P7XKSA1 Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 280µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 30 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 930 pF @ 500 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 30W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 800 V | Boîtier fournisseur PG-TO220-FP |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 360mohms à 5,6A, 10V |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFP12N65X2M | IXYS | 273 | IXFP12N65X2M-ND | Fr. 4.28000 | Similaire |
| IXTP12N65X2M | IXYS | 0 | IXTP12N65X2M-ND | Fr. 1.82193 | Similaire |
| TK11A65W,S5X | Toshiba Semiconductor and Storage | 37 | TK11A65WS5X-ND | Fr. 1.73000 | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 2.55000 | Fr. 2.55 |
| 50 | Fr. 1.26700 | Fr. 63.35 |
| 100 | Fr. 1.14290 | Fr. 114.29 |
| 500 | Fr. 0.92520 | Fr. 462.60 |
| 1’000 | Fr. 0.85526 | Fr. 855.26 |
| 2’000 | Fr. 0.79647 | Fr. 1’592.94 |
| 5’000 | Fr. 0.73289 | Fr. 3’664.45 |
| 10’000 | Fr. 0.73119 | Fr. 7’311.90 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 2.55000 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 2.75655 |










