Name: IXTY1R6N100D2
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTY1R6N100D2-ND
Price: 3.9997 CHF
Availability: OutOfStock

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IXTY1R6N100D2
Numéro de produit DigiKey	238-IXTY1R6N100D2-ND
Fabricant	IXYS
Numéro de produit du fabricant	IXTY1R6N100D2
Description	MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	50 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N, mode de déplétion 1000 V 1,6 A (Tc) 100W (Tc) Montage en surface TO-252AA
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IXTY1R6N100D2 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	IXYS
Série	Depletion
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N, mode de déplétion
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	1000 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	1,6 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	-
Rds On (max.) à Id, Vgs	10ohms à 800mA, 0V
Vgs(th) (max.) à Id	-
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	27 nC @ 5 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	645 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	100W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-252AA
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base	IXTY1

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Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	Fr. 3.70000	Fr. 3.70
70	Fr. 1.82457	Fr. 127.72
140	Fr. 1.66493	Fr. 233.09
560	Fr. 1.41766	Fr. 793.89
1’050	Fr. 1.33089	Fr. 1’397.43
2’030	Fr. 1.32220	Fr. 2’684.07

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.