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AOD2N100 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | AOD2N100-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | AOD2N100 |
Description | MOSFET N-CH 1000V 2A TO252 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 1000 V 2 A (Tc) 83W (Tc) Montage en surface TO-252 (DPAK) |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 15 nC @ 10 V |
Conditionnement Bande et bobine | Vgs (max.) ±30V |
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 580 pF @ 25 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 83W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -50°C ~ 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 1000 V | Type de montage Montage en surface |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur TO-252 (DPAK) |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 9ohms à 1A, 10V | Numéro de produit de base |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| FQD2N100TM | onsemi | 0 | FQD2N100TMCT-ND | Fr. 0.00000 | Similaire |
| IXTY1R4N100P | IXYS | 0 | IXTY1R4N100P-ND | Fr. 1.54071 | Similaire |
| IXTY1R6N100D2 | IXYS | 0 | 238-IXTY1R6N100D2-ND | Fr. 4.28000 | Similaire |
| STD2NK100Z | STMicroelectronics | 0 | 497-7964-1-ND | Fr. 2.53000 | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 2’500 | Fr. 0.50506 | Fr. 1’262.65 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 0.50506 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 0.54597 |




