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En stock: 33’487
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En stock: 840
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Fiche technique
Canal P 30 V 5,3 A (Ta) 480mW (Ta), 1,2W (Tc) Montage en surface TO-236AB
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

PMV35EPER

Numéro de produit DigiKey
1727-2729-2-ND - Bande et bobine
1727-2729-1-ND - Bande coupée (CT)
1727-2729-6-ND - Digi-Reel®
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
PMV35EPER
Description
MOSFET P-CH 30V 5.3A TO236AB
Référence client
Description détaillée
Canal P 30 V 5,3 A (Ta) 480mW (Ta), 1,2W (Tc) Montage en surface TO-236AB
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
3V à 250µA
Fabricant
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
19.2 nC @ 10 V
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Vgs (max.)
±20V
Statut du composant
En fin de cycle chez DigiKey
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
793 pF @ 15 V
Type de FET
Dissipation de puissance (max.)
480mW (Ta), 1,2W (Tc)
Technologies
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss)
30 V
Type de montage
Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier fournisseur
TO-236AB
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4,5V, 10V
Boîtier
Rds On (max.) à Id, Vgs
45mohms à 4,2A, 10V
Numéro de produit de base
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (4)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
FDN352APonsemi33’487FDN352APCT-NDFr. 0.59000Similaire
NTR4171PT1Gonsemi17’115NTR4171PT1GOSCT-NDFr. 0.58000Similaire
TSM650P03CX RFGTaiwan Semiconductor Corporation60’630TSM650P03CXRFGCT-NDFr. 0.49000Similaire
XP3P055NYAGEO XSEMI8405048-XP3P055NCT-NDFr. 0.26000Similaire
En stock: 0
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