Name: FDC5612
Brand: onsemi
SKU: FDC5612TR-ND
Price: 0.89723 CHF
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

FDC5612
Numéro de produit DigiKey	FDC5612TR-ND - Bande et bobine FDC5612CT-ND - Bande coupée (CT) FDC5612DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDC5612
Description	MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	28 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 4,3 A (Ta) 1,6W (Ta) Montage en surface SuperSOT™-6
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 18 nC @ 10 V
Série PowerTrench®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 650 pF @ 25 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 1,6W (Ta)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Boîtier fournisseur SuperSOT™-6
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 4,3 A (Ta)	Boîtier SOT-23-6 mince, TSOT-23-6
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V	Numéro de produit de base FDC5612
Rds On (max.) à Id, Vgs 55mohms à 4,3A, 10V