Name: FDC5614P
Brand: onsemi
SKU: FDC5614PTR-ND
Price: 0.85399 CHF
Availability: InStock

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FDC5614P
Numéro de produit DigiKey	FDC5614PTR-ND - Bande et bobine FDC5614PCT-ND - Bande coupée (CT) FDC5614PDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDC5614P
Description	MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	27 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 60 V 3 A (Ta) 1,6W (Ta) Montage en surface SuperSOT™-6
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FDC5614P Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 24 nC @ 10 V
Série PowerTrench®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 759 pF @ 30 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 1,6W (Ta)
Type de FET Canal P	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Boîtier fournisseur SuperSOT™-6
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3 A (Ta)	Boîtier SOT-23-6 mince, TSOT-23-6
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base FDC5614
Rds On (max.) à Id, Vgs 105mohms à 3A, 10V