FGA50N100BNTD2 est obsolète et n'est plus fabriqué.
Substituts disponibles:

Direct


Toshiba Semiconductor and Storage
En stock: 9
Prix unitaire : Fr. 4.43000
Fiche technique
TO-3P-3, SC-65-3
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FGA50N100BNTD2

Numéro de produit DigiKey
FGA50N100BNTD2-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
FGA50N100BNTD2
Description
IGBT NPT/TRENCH 1000V 50A TO-3P
Référence client
Description détaillée
IGBT NPT and trench 1000 V 50 A 156 W Trou traversant TO-3P
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
onsemi
Série
-
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Obsolète
Type d'IGBT
NPT and trench
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)
1000 V
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
50 A
Courant - Impulsion collecteur (Icm)
200 A
Vce(on) (max.) à Vge, Ic
2,9V à 15V, 60A
Puissance - Max.
156 W
Énergie de commutation
-
Type d'entrée
Standard
Charge de grille
257 nC
Td (on/off) à 25°C
34ns/243ns
Condition de test
600V, 60A, 10ohms, 15V
Temps de recouvrement inverse (trr)
75 ns
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Trou traversant
Boîtier
TO-3P-3, SC-65-3
Boîtier fournisseur
TO-3P
Numéro de produit de base
Product Questions and Answers

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Obsolète
Ce produit n'est plus fabriqué. Voir Produits de substitution.